1.一种抗菌型单电极柔性压电传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)ZnO@碳点复合纳米阵列的制备：

将柔性电极置于紫外臭氧清洗机中进行处理；

将ZnO纳米颗粒甲醇溶液旋涂在柔性电极上，经退火后得到附着ZnO纳米颗粒的电极；

将附着ZnO纳米颗粒的电极面朝下漂浮在ZnO纳米阵列营养液中，加热，保温；依次用超纯水和酒精清洗，低温干燥，获得附着ZnO纳米阵列的电极；

将该附着纳米阵列的电极置于碳点溶液中敏化，得到附着ZnO@碳点复合纳米阵列的电极；

(2)抗菌型压电复合膜的制备：

将压电聚合物加入溶剂中，磁搅拌溶解；并滴在长有ZnO@碳点复合纳米阵列的电极上，采用旋涂法成膜；退火，得到附着抗菌型压电复合膜的电极；

(3)单电极压电传感器的组装：

在附着抗菌型压电复合膜的电极未覆盖部分用导电铜胶带引出，即获得单电极柔性压电传感器。

2.根据权利要求1所述的一种抗菌型单电极柔性压电传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，退火温度为100～150℃，时间为30～60min。

3.根据权利要求1所述的一种抗菌型单电极柔性压电传感器的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中，ZnO纳米阵列营养液为摩尔比为1:1的Zn(Ac)2·2H2O和HMTA的混合水溶液，浓度为0.01～0.05mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种抗菌型单电极柔性压电传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，加热温度为80～95℃，保温时间为4～12h。

5.根据权利要求1所述的一种抗菌型单电极柔性压电传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，敏化时间为12～36h。

6.根据权利要求1所述的一种抗菌型单电极柔性压电传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，压电聚合物为PVDF及其衍生物(PVDF‑TrFE、PVDF‑HFP等)中的任一种，溶剂为DMF、DMSO、NMP和DMAc中的任一种与丙酮组成的混合溶剂，溶质质量占溶液的5～15％。

7.根据权利要求1所述的一种抗菌型单电极柔性压电传感器的制备方法，其特征在于所述步骤(1)、(2)中，旋涂转速为1000～2000rpm，时间为60～90s。

8.根据权利要求1所述的一种抗菌型单电极柔性压电传感器的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中，退火温度为120～140℃，时间为2～4h。

9.一种权利要求1‑8所述方法制备的抗菌型单电极柔性压电传感器，其特征在于，嵌入复合纳米阵列的传感器灵敏度大于0.73V/N；抑菌率超过47.5％。

10.一种权利要求9所述柔性压电传感器可在金黄葡萄球菌环境中应用。