1.一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法，其特征在于：所述突触晶体管器件是在作为栅电极的基底上设置有绝缘介电层，在所述绝缘介电层上设置有修饰层，在所述修饰层上呈阵列排布有若干光敏性电荷传输单元，每个光敏性电荷传输单元上设置有源电极和漏电极；所述光敏性电荷传输单元所采用的光敏材料对两种波长的光具有类突触行为；

先在无光刺激下对光敏性电荷传输单元施加电压，所达到的电流为初始暗电流；然后对光敏性电荷传输单元施加光刺激，所达到的电流为兴奋性突触后电流EPSC，其与初始暗电流的差值记为ΔEPSC；通过调整两种波长光的强度，使光敏性电荷传输单元在两种波长光刺激下的ΔEPSC相等；撤掉光刺激后，光敏性电荷传输单元的电流值会逐渐衰变；

对阵列中各光敏性电荷传输单元分别施加两种波长光中的一种，利用施加两种波长光刺激时相同的ΔEPSC实现原始图像的保密；然后利用两种波长光刺激后衰变速度的差异，通过采集衰变过程中各光敏性电荷传输单元的电流，实现原始图像的解密。

2.根据权利要求1所述的图像保密性成像方法，其特征在于：所述光敏性电荷传输单元所采用的光敏材料为P3HT80-b-PPI30。

3.根据权利要求2所述的图像保密性成像方法，其特征在于：P3HT80-b-PPI30对深紫外光和绿光两种波长的光具有类突触行为。

4.根据权利要求2所述的图像保密性成像方法，其特征在于：所述修饰层为CYTOP层。

5.根据权利要求2所述的图像保密性成像方法，其特征在于：所述源电极和漏电极选用Au电极。

6.根据权利要求1所述的图像保密性成像方法，其特征在于：原始图像位置处的各光敏性电荷传输单元施加一种波长的光刺激，原始图像位置外的各光敏性电荷传输单元施加另一种波长的光刺激。