1.一种高压低功耗的E/D基准电路，其特征在于，包括启动偏置电路模块、E/D基准核心电路和修调电路模块：所述的E/D基准核心电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一增强型NMOS管MN1、第二增强型NMOS管MN2、第三增强型NMOS管MN3、第一耗尽型NMOS管MD1、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2；

启动偏置电路模块的上端和下端分别连接电源电压VIN和地VSS，第一输出节点VB1连接第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6的栅极，启动偏置电路模块的第二输出节点VB2连接第一增强型NMOS管MN1和第二增强型NMOS管MN2的栅极；启动偏置电路模块用于为E/D基准核心电路中的共栅管提供电压偏置，保证基准的正常建立；

第三增强型NMOS管MN3的栅极为输出节点VREF，与第四PMOS管MP4的漏极、第一电容C1的上端、第一电阻R1的上端、修调电路模块连接第三增强型NMOS管MN3的源极、第一电容C1的下端和第一电阻R1的下端与地VSS连接；

第四PMOS管MP4的源极连接第一PMOS管MP1的漏极，第一PMOS管MP1的源极连接电源电压VIN，第一PMOS管MP1的栅极连接第二电容C2的上端、第六PMOS管MP6的漏极和第二增强型NMOS管MN2的漏极；

第三增强型NMOS管MN3的漏极和第一增强型NMOS管MN1的源极连接修调电路模块，第一增强型NMOS管MN1的漏极连接第五PMOS管MP5的漏极、第二PMOS管MP2的栅极和第三PMOS管MP3的栅极；

第五PMOS管MP5的源极连接第二PMOS管MP2的漏极和第二电容C2的下端；

第二PMOS管MP2的源极和第三PMOS管MP3的源极连接电源电压VIN；

第三PMOS管MP3的漏极连接第六PMOS管MP6的源极；

第一耗尽型NMOS管MD1的漏极与第二增强型NMOS管MN2的源极连接修调电路模块，第一耗尽型NMOS管MD1的栅极、第一耗尽型NMOS管MD1的源极和修调电路模块互连接地VSS。