1.一种低耗电量自偏置基准电压源，其特征在于，其包括启动电路，偏置补偿电路，共源共栅子带隙电路；

启动电路为基准电压源提供启动电流；

偏置补偿电路为基准电压源提供偏置电压，并实现了对共源共栅子带隙电路的温度曲率补偿；

共源共栅子带隙电路用于产生并输出基准电压；

启动电路包括MOS管M1，MOS管M2，电容C1；

MOS管M1的源极连接电源，MOS管M1的栅极接地，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的栅极；

MOS管M2的源极连接MOS管M1的源极，MOS管M2的漏极连接MOS管M4的是栅极；

电容C1的上端连接MOS管M2的栅极，电容C1的下端接地；

偏置补偿电路包括MOS管M3至M11，晶体管Q1，运算放大器A1；

MOS管M3的源极连接电源，MOS管M3的栅极连接MOS管M7的栅极，MOS管M3的漏极连接MOS管M4的漏极；

MOS管M4的栅极连接MOS管M7的漏极，MOS管M4的源极连接MOS管M5的漏极；

MOS管M5的栅极连接MOS管M5的漏极，MOS管M5的源极连接MOS管M6的漏极；

MOS管M6的栅极连接MOS管M6的漏极，MOS管M6的源极接地；

MOS管M7的源极连接MOS管M3的源极，MOS管M7的栅极连接MOS管M3的漏极，MOS管M7的漏极连接晶体管Q1的发射极；

MOS管M8的源极连接电源，MOS管M8的栅极连接MOS管M9的栅极，MOS管M8的漏极连接晶体管Q1的发射极；

MOS管M9的源极连接MOS管M8的源极，MOS管M9的漏极连接MOS管M10的漏极；

MOS管M10的栅极连接MOS管M10的漏极，MOS管M10的源极连接MOS管M11的漏极；

MOS管M11的栅极连接MOS管M11的漏极，MOS管M11的源极接地；

运算放大器A1的同相输入端连接MOS管M8的漏极，运算放大器A1的反相输入端连接MOS管M9的漏极，运算放大器A1的输出端连接MOS管M9的栅极；

晶体管Q1的发射极连接运算放大器A1的同相输入端，晶体管Q1的基极接地，晶体管Q1的集电极接地；

共源共栅子带隙电路包括MOS管M13至M20，基准电压输出端口Vref；

MOS管M13的源极连接电源，MOS管M13的栅极连接MOS管M9的栅极，MOS管M13的漏极连接MOS管M14的源极；

MOS管M14的栅极连接MOS管M15的栅极，MOS管M14的漏极连接MOS管M15的源极；

MOS管M15的源极连接MOS管M11的漏极，MOS管M15的栅极连接MOS管M15的漏极，MOS管M15的漏极连接MOS管M16的漏极；

MOS管M16的栅极连接MOS管M14的漏极，MOS管M16的源极接地；

MOS管M17的源极连接MOS管M13的源极，MOS管M17的栅极连接MOS管M13的栅极，MOS管M17的漏极连接MOS管M18的源极；

MOS管M18的源极连接基准电压输出端口Vref，MOS管M18的栅极连接MOS管M19的栅极，MOS管M18的漏极连接MOS管M19的源极；

MOS管M19的源极连接MOS管M14的源极，MOS管M19的栅极连接MOS管M19的漏极，MOS管M19的漏极连接MOS管M20的漏极；

MOS管M20的栅极连接MOS管M16的栅极，MOS管M20的源极接地。