1.一种MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：包括：

获取Ti3C2Tx胶体溶液，以及掺有Sb的n‑Ge衬底，清除n‑Ge衬底表面杂质，然后将Ti3C2Tx胶体溶液覆在n‑Ge衬底上，在室温下干燥至恒重后形成Ti3C2Tx膜层使得Ti3C2Tx膜层与n‑Ge衬底形成肖特基异质结。

2.根据权利要求1所述的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：所述Ti3C2Tx膜层的厚度500‑600nm。

3.根据权利要求1所述的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：获取LiF粉末并与HCl溶液进行混合均匀，再获取Ti3AlC2粉末加入到LiF与HCl的混合溶液中，搅拌直至生成Ti3C2Tx，对Ti3C2Tx进行洗涤，洗涤后离心去除掉上清液，然后进行冷冻干燥直至恒重，再加入DMF溶液冰浴超声分散制得Ti3C2Tx胶体溶液。

4.根据权利要求3所述的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：将Ti3AlC2粉末缓慢加入到LiF与HCl的混合溶液中，并在35‑40℃下油浴搅拌直至生成Ti3C2Tx溶液。

5.根据权利要求3所述的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：在对Ti3C2Tx进行洗涤的时候，先利用去离子水在3500‑5000rpm下离心洗涤5‑10min，离心结束后去除掉上清液，重复上述过程直至Ti3C2Tx溶液的ph值满足要求。

6.根据权利要求1所述的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，其特征在于：在Ti3C2Tx胶体溶液覆膜前，对n‑Ge衬底表面进行清洗，先将n‑Ge衬底浸泡在浓度为

10‑15％的HF溶液中5‑10min，取出n‑Ge衬底再利用丙酮、甲醇依次超声清洗5‑10min，最后利用紫外臭氧清洗15‑20min。

7.一种MXene/n‑Ge高速宽带光电探测器，其特征在于：由权利要求1至6中任意一项所述的MXene/n‑Ge高速宽带光电探测器的制作方法制得而成。