1.一种CsPbBr3核辐射探测器，包括CsPbBr3单晶衬底、复合金属电极、PCB板基座及金属管脚，其特征在于，所述复合金属电极由分别沉积在CsPbBr3单晶衬底相对两侧的一层高功函数金属电极和一层低功函数金属电极退火合金化形成，所述CsPbBr3单晶衬底包裹在复合金属电极内，所述CsPbBr3单晶衬底一侧固定在PCB板基座的阴极区；且所述复合金属电极上侧与PCB板基座的阳极区连接，所述PCB板基座的阴极区与金属管脚阴极连接，所述PCB板基座的阳极区与金属管脚阳极连接。

2.根据权利要求1所述的一种CsPbBr3核辐射探测器，其特征在于，所述CsPbBr3单晶衬底厚度为500～1000um。

3.根据权利要求1所述的一种CsPbBr3核辐射探测器，其特征在于，所述高功函数金属包括金属Pt、金属Ni、金属Au。

4.根据权利要求1所述的一种CsPbBr3核辐射探测器，其特征在于，所述低功函数金属包括金属Ti、金属Al、金属Ga、金属Ln、金属Ag。

5.根据权利要求1所述的一种CsPbBr3核辐射探测器，其特征在于，所述复合金属电极为平面三明治层状结构，靠近CsPbBr3单晶衬底的金属电极为高功函数金属电极，所述低功函数金属电极沉积在高功函数金属电极上。

6.根据权利要求1所述的一种CsPbBr3核辐射探测器，其特征在于，所述复合金属电极总厚度为60～130nm。

7.根据权利要求1所述的一种CsPbBr3核辐射探测器，其特征在于，所述高功函数金属电极厚度为10～30nm，所述低功函数金属电极厚度为50～100nm。

8.一种CsPbBr3核辐射探测器制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)、选择布里奇曼法生长的CsPbBr3单晶，加工生成CsPbBr3单晶衬底；

2)、在CsPbBr3单晶衬底的相对两侧通过物理气相沉积法分别沉积一层高功函数金属电极和一层低功函数金属电极；

3)、在快速退火炉中对步骤2)中已完成沉积的CsPbBr3单晶衬底进行快速退火，促使高功函数金属电极与低功函数金属电极合金化，形成复合金属电极；

4)、将沉积有复合金属电极的CsPbBr3单晶衬底一侧固定在PCB板基座的阴极区，而后将PCB板基座的阴极区与金属管脚阴极连接；

5)、将复合金属电极上侧与PCB板基座的阳极区连接，PCB板基座的阳极区与金属管脚阳极连接，共同构成CsPbBr3核辐射探测器。

9.根据权利要求8所述的一种CsPbBr3核辐射探测器制备方法，其特征在于，步骤3)中，快速退火的工艺参数为：退火温度范围为400～500℃，退火时间为30s～90s。

10.根据权利要求8所述的一种CsPbBr3核辐射探测器制备方法，其特征在于，步骤5)中，共同构成的CsPbBr3核辐射探测器包括全对称型CsPbBr3半导体核辐射探测器、半对称型CsPbBr3半导体核辐射探测器及非对称型CsPbBr3半导体核辐射探测器。