1.一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器的制备方法，其特征在于，该忆阻器自上而下依次为上电极、功能层、下电极和衬底，所述功能层由Zr和ZrO2相互掺杂而形成Zr：ZrO2‑x结构；其中，0≤x<2；所述上电极采用碳铜混合油，所述下电极采用Ti，所述衬底采用抛光玻璃；

其制备方法包括以下步骤：

（1）清洗衬底：将抛光玻璃依次在丙酮、去离子水、无水乙醇中超声振荡清洗，各振荡清洗5min，最后在烘干箱烘干；

（2）制备下电极：使用下电极掩模板，将步骤（1）清洗过的抛光玻璃置于溅射腔室中的样品台上，使用直流溅射，Ti靶材作为溅射源，设置靶材到衬底的距离为10～12cm，溅射室‑3真空度抽至2×10 Pa，通入流量为22～26sccm纯度为99.999%的Ar作为工作气体，调节直流功率80～100w，调节工作气压为0.5～0.7Pa，样品台自转0～10r/min，预溅射3～5min去除靶材表面氧化物和油污后，溅射5～10min，得 Ti薄膜；

（3）制备功能层，具体包括以下子步骤：

（a）制备功能层的Zr薄膜：使用功能层掩模板，将步骤（2）制备的样片置于溅射腔室中的样品台上；首先制备Zr薄膜，使用直流溅射法，Zr靶材作为溅射源，直流溅射参数为：‑3

靶材到衬底的距离为8～12cm，溅射室真空度抽至2×10 Pa，通入流量为20～26sccm纯度为

99.999%的Ar作为工作气体，调节直流功率80～100w，调节工作气压为0.5～0.7Pa，样品台自转0～10r/min，预溅射3～5min去除靶材表面氧化物和油污后，溅射4～7min沉积金属Zr薄膜；

（b）制备功能层的Zr：ZrO2‑x 结构：将（a）制备的样片位置不变，在金属Zr薄膜上制备ZrO2层薄膜，采用射频溅射法，以ZrO2 靶材作为溅射源，射频溅射参数为：设置靶材到衬底‑3的距离为10～12cm，将溅射室真空度抽至2×10 Pa，通入流量为20～26sccm纯度为99.999%的Ar作为工作气体，调节射频功率50～80w，调节工作气压为0.9～1.3Pa，调节溅射温度在

200～300℃，样品台自转0～10r/min，预溅射3～5min去除靶材表面的氧化物和油污后，溅射8～15min沉积ZrO2 薄膜；

其中，制备Zr薄膜和ZrO2 薄膜的顺序可互换，都可形成Zr和ZrO2 相互掺杂的Zr：ZrO2‑x 结构；

（c）退火处理：溅射腔室不释放压力，进行退火处理，退火温度控制在400～500℃，退火保温时间控制在60～100s，待温度降至室温后取出样品；

（4）制备上电极，具体包括以下子步骤：

（a）制备碳铜混合油：量取80 mL碳油，在室温下充分搅拌5 min，得到溶液A；量取20 mL铜油，在室温下充分搅拌5min，得到溶液B；将溶液A逐滴倒到溶液B中，倒的过程同时充分搅拌溶液B，完成后，继续搅拌5 min，然后静置即可得到碳油、铜油比例为8：2的混合油；

（b）制备上电极：使用上电极掩模板，将步骤（3）制备的样片置于匀胶机上，设置匀胶机‑1转速3500 r·min  把混合油均匀铺平，最后用烘干箱烘干，得上电极。

2.如权利要求1所述的一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器的制备方法，其特征在于，所述功能层的厚度为30～500 nm。

3.如权利要求1所述的一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器的制备方法，其特征在于，所述下电极的厚度为30～200 nm。

4.如权利要求1所述的一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器的制备方法，其特征在于，所述上电极的厚度为100～800 nm。