1.一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器，其特征在于，自下而上依次设置为衬底、下电极、阻变层、上电极，阻变层材料采用Cu掺杂TixOy的TixOy‑Cuz薄膜，在TixOy‑Cuz中1

0.2

2.根据权利要求1所述的一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器，其特征在于，下电极和上电极材料为单层金属电极层、导电非金属层、双层复合电极层的任意一种，衬底采用抛光玻璃、硅晶片、导电玻璃的任意一种。

3.根据权利要求2所述的一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器，其特征在于，单层金属电极材料采用Cu、Ag、Au、Pt、Al、Ti、Zn中的任意一种；导电非金属层材料为C；所述双层复合电极层材料采用Cu/Ti、Au/Ti、C/Au、Au/Cu的任意一种。

4.根据权利要求3所述的一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器，其特征在于，下电极采用Au/Ti复合电极，上电极采用C/Au复合电极。

5.根据权利要求1所述的Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器，其特征在于，所述下电极的厚度为

100nm～200nm，上电极的厚度为20nm～100nm。

6.根据权利要求1所述的Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器，其特征在于，所述阻变层的厚度为

100nm～700nm。

7.根据权利要求4所述的一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、清洗衬底：洗净衬底并哄干，备用；

S2、打磨Ti靶材、TiO2‑x靶材、C靶材、Cu靶材：用砂纸打磨后备用；

S3、制备Au薄膜：使用离子镀膜仪，以Au靶材作为溅射源，在基片上沉积Au薄膜；

S4、制备Au/Ti复合电极：采用直流溅射法：以Ti靶材作为溅射源，在Au薄膜上溅射沉积Ti薄膜，形成Au/Ti复合电极；

S5、制备TixOy薄膜：采用射频溅射法，以TiO2‑x靶材作为溅射源，在Au/Ti复合电极上沉积TixOy薄膜；

S6、退火处理：制备TixOy薄膜结束后，腔体不释压力，冷却1小时；

S7、制备Cu掺杂的TixOy薄膜：以Cu靶材作为溅射源，将生成的TixOy薄膜掺入Cu；

S8、制备C薄膜：采用射频溅射法，以C靶材作为溅射源，在Cu掺杂的TixOy薄膜上沉积C薄膜；

S9、制备C/Au复合电极：使用离子镀膜仪，以Au靶材作为溅射源，在C薄膜上沉积Au薄膜，形成C/Au复合电极。