1.一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉的上游低温区；将氧化钨与氯化钠的混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于多温区管式炉下游高温区的长刚玉舟上游；在通入惰性保护气体的条件下，将多温区管式炉各个温区升温至设定的目标温度以使相应的前驱体蒸发，在通入的载气的带动下在多温区管式炉的下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游位置的基底上，形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜，基底为SiO2/Si基片，且SiO2面朝下，长刚玉舟底部向下凹陷，与倒扣的基底之间形成缝隙，氧化钨粉、铬粉和氧化钼粉的质量比为10∶2～5∶

0.3～2，通过调节外接的减压阀控制多温区管式炉内压强小于1个标准大气压。

2.根据权利要求1所述的一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于：所述硫粉的质量为0.8～2.0g。

3.根据权利要求1所述的一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于：所述长刚玉舟的长度为15～25cm，所述氧化钨与氯化钠的混合粉和铬粉之间的间距为

1cm，铬粉和氧化钼粉之间的间距为1cm。

4.根据权利要求1所述的一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于：所述氧化钨粉的质量为0.2～1.5g，所述氯化钠的加入量不多于1mg。

5.根据权利要求1所述的一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于：所述基底为3～5片1cm*1cm的SiO2/Si基片，所述基底距离氧化钼粉5cm。

6.根据权利要求5所述的一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于：所述长刚玉舟的底部宽度为0.9～0.95cm。

7.根据权利要求1所述的一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于：所述多温区管式炉上游低温区的目标温度为150℃～230℃。

8.根据权利要求1所述的一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于：所述多温区管式炉中游高温区的目标温度为920℃～1050℃。

9.根据权利要求1所述的一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，其特征在于：所述整个反应过程惰性保护气体的的流量为25～300sccm。