1.一种B4C‑TiB2导电复相陶瓷，其特征在于，所述导电复相陶瓷具有包覆型显微结构，即TiB2小晶粒包覆在B4C大晶粒周围；所述导电复相陶瓷中TiB2的体积含量为10‑30％。

2.如权利要求1所述的B4C‑TiB2导电复相陶瓷的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)按照成分设计分别称取B4C、TiC和无定形B粉体；

(2)将步骤(1)称量好的粉体混合均匀并充分干燥；

(3)将步骤(2)干燥后的粉体装入石墨模具，并置于放电等离子体烧结炉内在真空气氛中进行烧结。

3.如权利要求2所述的B4C‑TiB2导电复相陶瓷的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述B4C粉体的粒径为3.0‑20.0μm，所述TiC粉体的粒径为0.05‑3.0μm，所述无定形B粉体的粒径为0.5‑1.0μm。

4.如权利要求2所述的B4C‑TiB2导电复相陶瓷的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述放电等离子体烧结炉内：烧结温度为2000℃，压力为50MPa，保温时间为5‑20min。