1.微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)将硅源、碳源均匀混合；

(2)将混合后的粉体直接置于微波烧结炉中进行微波烧成，或者，将混合后的粉体先进行预成型，之后再置于微波烧结炉中进行微波烧成；微波烧成的过程包括：将微波烧结炉的输入功率升至3KW以上，温度迅速上升到设定温度后，不保温，立即结束烧制，完成微波烧成，合成碳化硅；所述的设定温度不小于600℃。

2.如权利要求1所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于步骤(1)中所述的硅源至少包括硅粉、正硅酸乙酯、石英砂、白炭黑，硅溶胶中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于步骤(1)中所述的碳源至少包括工业煤、石墨、活性炭、石油焦中的一种或多种。

4.如权利要求1‑3任一所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于碳源和硅源中碳硅摩尔比为0.5～10：1。

5.如权利要求1‑3任一所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于混料方式至少包括球磨法混合或研磨法混合或机械搅拌混合。

6.如权利要求1或4所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于骤(2)中的成型方式至少包括干压成型、等静压成型、溶胶凝胶成型。

7.如权利要求1或4所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于步骤(2)中微波烧成时输入功率为3KW～10KW，加热频率为915MHz或2450MHz。

8.如权利要求1或4所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于最终得到α‑SiC。

9.如权利要求8所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于所制备的α‑SiC为典型的六方结构。

10.如权利要求8或9所述的微波闪烧合成碳化硅的方法，其特征在于所制备的α‑SiC在制备半导体材料、功能陶瓷、高级耐火材料中的应用。