1.一种铜锡硫忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：制备铜锡硫前驱液：将铜源、锡源和硫源溶于有机溶剂中，搅拌，获得铜锡硫前驱液；

步骤2：制备铜锡硫粉末：将步骤1制得的铜锡硫前驱液倒入水热反应釜并置于水热箱中进行水热反应，反应结束后，自然冷却，倒去上清液，将剩余混合物离心洗涤，干燥后得到黑色粉末，将所述黑色粉末研磨得到铜锡硫纳米颗粒；

步骤3：制备聚甲基丙烯酸甲酯溶液：将聚甲基丙烯酸甲酯颗粒溶于有机溶剂中，获得聚甲基丙烯酸甲酯溶液；

步骤4：制备铜锡硫和聚甲基丙烯酸甲酯复合溶液：将步骤2中制得的铜锡硫纳米颗粒加入步骤3制得的聚甲基丙烯酸甲酯溶液中，室温搅拌，获得铜锡硫和聚甲基丙烯酸甲酯复合溶液；

步骤5：清洗FTO导电玻璃基底；

步骤6：制备铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜：将步骤4制得的铜锡硫和聚甲基丙烯酸甲酯复合溶液，滴在步骤5清洗得到的FTO导电玻璃基底的导电面上，旋涂，室温干燥，制得铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜，从而获得铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜/FTO结构；其中，所述FTO导电玻璃基底的导电面为背电极；

步骤7：组装Al/铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜/FTO忆阻器件：在步骤6获得的铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜/FTO结构上进一步沉积上电极，其中，所述的上电极沉积在铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜上；所述上电极材质为Al。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述的铜源为Cu(CH3COO)2•H2O；

所述的锡源为SnCl2；

所述的硫源为CH4‑N2S；

所述的有机溶剂为N‑N二甲基酰胺；

所述铜锡硫为Cu3SnS4。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述水热反应的温度为170℃~

190℃；

所述水热反应的时间为23小时 25小时。

~

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中，所述的有机溶剂为氯仿；所述聚甲基丙烯酸甲酯溶液的浓度为1 mg/mL 6 mg/mL。

~

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中，添加的铜锡硫粉末与添加的聚甲基丙烯酸甲酯的质量比为：1 4。

~

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中，将FTO导电玻璃置于装有洗洁精水的容器内，再放到超声池内超声处理，再将容器内洗洁精水换为酒精溶液继续超声处理，然后利用去离子水冲洗，用氮气吹干。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6中，旋涂的转速为2000 4000rpm；

~

旋涂的时间为10 60秒。

~

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

步骤7具体包括：首先将铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜/FTO结构放入点状Al电极沉积掩模板中，真空镀膜，从而获得Al/铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜/FTO结构的忆阻器件；

所述上电极数量为多个，多个上电极分散布置在铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜上。

9.权利要求1‑8任一项所述的方法制备的Al/铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜/FTO忆阻器件，其特征在于，所述忆阻器件包括FTO导电玻璃层、设置于所述FTO导电玻璃层上的铜锡硫‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜层、和设置于所述复合阻变膜层的上电极。

10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述复合阻变膜层的厚度为300 700 nm。

~