1.一种双阻变层局部有源忆阻器，其特征在于，包括：由下而上依次设置的衬底、底电极、忆阻功能层和顶电极；所述忆阻功能层采用多层纳米薄膜制成，所述忆阻功能层包括第一功能层和第二功能层，所述第二功能层位于所述第一功能层之上，所述第一功能层采用Zr掺杂的ZrO2薄膜制成，第二功能层的采用VO2薄膜制成。

2.根据权利要求1所述的一种双阻变层局部有源忆阻器，其特征在于，所述底电极采用的电极材料为活性电极或亲氧电极，所述顶电极采用的电极材料为惰性电极、碳油或碳铜混合油，所述衬底采用抛光玻璃、硅晶片或导电玻璃中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的一种双阻变层局部有源忆阻器，其特征在于，所述底电极的材料选用Cu、Al、Ag、Ti或Pt中的任意一种；所述顶电极的材料选用Au、Ag、碳油或碳铜混合油中的任意一种。

4.根据权利要求3所述的一种双阻变层局部有源忆阻器，其特征在于，所述底电极、所述忆阻功能层和所述顶电极采用磁控溅射、电子束蒸发或化学气相沉积中的任一种工艺形成。

5.根据权利要求4所述的一种双阻变层局部有源忆阻器，其特征在于，所述底电极的厚度为30nm～200nm，所述顶电极的厚度为10nm～800nm。

6.根据权利要求1所述的一种双阻变层局部有源忆阻器，其特征在于，所述第一功能层的厚度为30nm～500nm，所述第二功能层的厚度为200nm～700nm。

7.一种双阻变层局部有源忆阻器的制备方法，制备如权利要求1 6中任意一种双阻变~层局部有源忆阻器，其特征在于，具体包括如下步骤：

S1，清洗衬底；

S2，依次使用粗砂纸和细砂纸打磨制备底电极和忆阻功能层靶材，使用无水乙醇擦拭靶材表面；

S3，制备底电极：使用直流溅射，Cu、Al、Ag、Ti或Pt中的任意一种靶材作为溅射源，设置靶材到衬底的距离，设置溅射室真空度，溅射室内通入惰性工作气体，调节溅射室的直流功率和工作气压，将衬底放置在样品台上，设置样品台转速，预溅射一定时间去除靶材表面氧化物和油污后，继续溅射一定时间，得到底电极薄膜；

S4，利用射频溅射法，采用ZrO2靶材作为溅射源形成第一功能层的ZrO2薄膜；利用直流溅射法，采用Zr靶材作为溅射源，形成掺杂Zr的ZrO2薄膜，即形成第一功能层；

S5，采用射频溅射法，以VO2靶材作为溅射源，制备第二功能层；

S6，溅射室不释放压力，进行退火处理，设置退火温度和退火时间，待温度降至室温后取出样品；

S7，选择Au、Ag、碳油或碳铜混合油中的任意一种，利用电极掩模板将经步骤S1 S6获得~的具有忆阻功能层的底电极置于匀胶机上并铺平，烘干后得到顶电极。

8.根据权利要求7所述的一种双阻变层局部有源忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤S4具体包括如下步骤：S4.1，制备第一功能层的ZrO2薄膜：采用射频溅射法，以ZrO2靶材作为溅射源，设置靶材到衬底的距离，设置溅射室真空度，溅射室内通入工作气体，调节溅射室功率，设置溅射时间，形成第一功能层的ZrO2薄膜；

S4.2，制备第一功能层的金属Zr薄膜：使用直流溅射法，Zr靶材作为溅射源，设置靶材到衬底的距离，设置溅射室真空度，溅射室内通入工作气体，调节溅射室直流功率，调节溅射室工作气压，设置样品台转速，预溅射一定时间去除靶材表面氧化物和油污后，溅射一定时间沉积金属Zr薄膜，形成第一功能层Zr掺杂的ZrO2薄膜。

9.根据权利要求8所述的一种双阻变层局部有源忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤S7具体包括如下步骤：S7.1，量取一定量的Au、Ag、碳油或碳铜混合油中的任意一种，并进行溶解；

S7.2，使用电极掩模板，将经过S1 S6获得的具有忆阻功能层的底电极置于匀胶机，设~置匀胶机转速把碳油均匀铺平，利用烘干箱烘干，得到顶电极。

10.根据权利要求9所述的一种双阻变层局部有源忆阻器的制备方法，其特征在于，所述衬底采用抛光玻璃，所述底电极采用Ti，所述顶电极采用碳油，具体包括如下步骤：S1，清洗衬底：将抛光玻璃在无水乙醇中超声振荡清洗5min，在烘干箱中烘干；

S2，打磨靶材：依次使用粗砂纸和细砂纸打磨Ti靶材、ZrO2靶材、Zr靶材和VO2靶材，使用无水乙醇擦拭靶材表面；

S3，制备底电极：使用直流溅射，Ti靶材作为溅射源，设置靶材到衬底的距离为5～‑3

12cm，溅射室真空度抽至2×10 Pa，通入流量为22～26sccm，纯度为99.999%的Ar作为工作气体，调节溅射室直流功率为90～170w，调节溅射室工作气压为0.5～1.8Pa，将衬底放置在样品台上，样品台自转0～10r/min，预溅射3～8min去除靶材表面氧化物和油污后，溅射5～

15min，得 Ti薄膜；

S4，制备忆阻功能层，具体包括以下子步骤：

S4.1，制备第一功能层的ZrO2薄膜：采用射频溅射法，以ZrO2靶材作为溅射源，设置靶材‑3到衬底的距离为5cm～15cm，将溅射室真空度抽至2×10 Pa，通入流量为20～26sccm纯度为

99.999%的Ar作为工作气体，调节功率为70～160w，溅射时间5min～15min，形成第一功能层的ZrO2薄膜；

S4.2，制备第一功能层的金属Zr薄膜：使用直流溅射法，Zr靶材作为溅射源，设置靶材‑3到衬底的距离为5～15cm，溅射室真空度抽至2×10 Pa，通入流量为20～26sccm，纯度为

99.999%的Ar作为工作气体，调节溅射室的直流功率70～160w，调节溅射室的工作气压为

0.5～1.5Pa，样品台自转0～10r/min，预溅射3～8min去除靶材表面氧化物和油污后，溅射4～12min沉积金属Zr薄膜，形成第一功能层Zr掺杂的ZrO2薄膜；

S5，制备第二功能层的VO2薄膜：采用射频溅射法，以VO2靶材作为溅射源，设置靶材到衬‑3底的距离为5cm～15cm，将溅射室真空度抽至2×10 Pa，通入流量为20～26sccm纯度为

99.999%的Ar作为工作气体，调节直流功率70w～160w，调节工作气压为0.8～1.8Pa，样品台自转0～10r/min，溅射时间为10min～35min，形成第二功能层；

S6，退火处理：溅射室不释放压力，进行退火处理，退火温度控制在400～500℃，退火保温时间控制在60～100s，待温度降至室温后取出样品；

S7，制备顶电极，具体包括以下子步骤：

S7.1，制备碳油：量取5 mL碳油，在室温下充分搅拌5min，得到溶解好的碳油；

S7.2，制备顶电极：使用电极掩模板，将经过S1 S6获得的具有忆阻功能层的底电极置‑1 ~于匀胶机上，设置匀胶机转速3500 r·min 把碳油均匀铺平，最后用烘干箱烘干，得顶电极。