1.一种气体传感器，包括基体，其特征在于，所述基体的表面还设置有GeTeOx薄膜和元素共掺的CuO薄膜；所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的中部重叠并形成异质结构，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜部分均延伸到基体上，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的端部设置有导电金属薄膜，其中，0＜x≤4。

2.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的两端分别设有0‑2个导电金属薄膜。

3.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的重叠部分为插指结构。

4.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述基体的材料为Si。

5.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述CuO薄膜中掺杂的元素为Y、W、Sn、Al、In和Ni中的两种或两种以上。

6.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述导电金属为Au、Ag、Cr、Pt、Pd、Ti、Al、W和ITO中的一种或多种。

7.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，S1、在预处理后的基体表面刻蚀出电极沟道，电极沟道溅射导电金属薄膜；

S2、在基体表面溅射GeTeOx薄膜，溅射气体为氩气和氧气的混合气体，其中，0＜x≤4；

S3、在所述GeTeOx薄膜表面溅射元素共掺的CuO薄膜，所述元素共掺的CuO薄膜延伸至基体表面，溅射气体为氩气；

S4、在所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜非重叠部分表面溅射导电金属薄膜，得到所述气体传感器。

8.根据权利要求7所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述溅射的功率为5‑

200W，溅射的时间为1‑30min。

9.根据权利要求7所述的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述气体的流量为1‑

50sccm，气体的溅射压强为0.5‑10Pa。

10.一种权利要求1‑6任一项所述的气体传感器在检测H2S、NH3或NO2中的应用，其特征在于，所述应用中检测的温度为50‑300℃，气体的浓度为1‑200ppm。