1.硼酸基修饰的负电荷碳点在制备抗革兰氏阴性菌药物中的应用，所述硼酸基修饰的负电荷碳点的制备方法为：将3‑氨基苯硼酸和柠檬酸钠溶解于超纯水中，然后用NaOH调节pH至8.5～10.0，并用氮气鼓泡除去溶液中的溶解氧，在聚四氟乙烯衬里的高压釜中180～

220℃保温7～10小时。

2.根据权利要求1所述的硼酸基修饰的负电荷碳点在制备抗革兰氏阴性菌药物中的应用，其特征在于：将3‑氨基苯硼酸和柠檬酸钠溶解于超纯水中，然后用NaOH调节pH至9.0，并用氮气鼓泡除去溶液中的溶解氧，在聚四氟乙烯衬里的高压釜中200℃保温8小时。

3.根据权利要求1或2所述的硼酸基修饰的负电荷碳点在制备抗革兰氏阴性菌药物中的应用，其特征在于：所述超纯水中3‑氨基苯硼酸的浓度为2.5～20mg/mL，柠檬酸钠的浓度为25～50mg/mL。

4.根据权利要求1或2所述的硼酸基修饰的负电荷碳点在制备抗革兰氏阴性菌药物中的应用，其特征在于：所述超纯水中3‑氨基苯硼酸的浓度为5～10mg/mL，柠檬酸钠的浓度为

25～50mg/mL。