1.一种超亲水聚己内酯薄膜，其特征在于包括超亲水聚己内酯单层薄膜和超亲水聚己内酯多层薄膜，为层状结构，超亲水聚己内酯单层薄膜由旋涂技术及射频等离子体处理技术于基体表面得到；所述超亲水聚己内酯多层薄膜是由超亲水聚己内酯单层薄膜重复多次叠加而成。

2.一种如权利要求1所述的超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）将聚己内酯溶于溶剂中制得聚己内酯溶液，备用；

2）将基体依次在无水酒精和丙酮中超声清洗，氮气吹干备用；

3）将步骤2）得到的基体置于旋涂设备中，在基体表面移液步骤1）中的聚己内酯溶液，通过旋涂工艺在基体表面成膜，随后在通风橱内晾干；

4）将步骤3）得到的涂覆聚己内酯的基体置于等离子体处理设备中，利用等离子体技术处理聚己内酯，得到超亲水聚己内酯单层薄膜；

5）在步骤4）的超亲水聚己内酯单层薄膜上重复步骤3）和步骤4），得到超亲水聚己内酯多层薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于步骤1）中的聚己内酯分子量为60000 80000 g/mol，聚己内酯的溶液浓度为1 50mg/ml，所述溶剂为~ ~二氯甲烷、三氯甲烷、四氢呋喃、甲苯、二甲基亚砜、甲酸、乙酸中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的一种超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于步骤2）中将基体依次在无水酒精和丙酮中超声清洗5 10 min，氮气吹干；所述基体为高分子聚合物、~金属、硅片、石英或玻璃；其中高分子聚合物和金属基体表面需要预处理；所述基体的形状为圆形或正方形。

5.根据权利要求4所述的一种超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于高分子聚合物和金属基体表面预处理的过程为：将金属基体或高分子聚合物基体依次在400# 2000#~砂纸上打磨，然后进行抛光处理；所述高分子聚合物为PLGA、PLA、PGA或PEEK；所述的金属为不锈钢、镁、钛及其合金中的一种。

6.根据权利要求4所述的一种超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于正方形的边长为10 mm 40 mm，圆形的直径为10 mm 40 mm。

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7.根据权利要求2所述的一种超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于3）步骤中聚己内酯采用静态旋涂模式或动态旋涂模式成膜。

8.根据权利要求7所述的一种超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于采用静态旋涂模式时，在基体表面中心位置移液聚己内酯溶液体积10μL 300 μL，旋涂转速升至500~ ~

5000 rpm下成膜并25℃通风橱内晾干，旋涂时间为5 s 300s，旋转加速度为150 rpm/s。

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9.根据权利要求7所述的一种超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于采用动态旋涂模式时，开启旋涂设备，转速为100 2000 rpm时在基体表面中心位置移液聚己内酯溶~液体积10 μL 300 μL，旋涂时间为5 s 90s，然后将旋涂设备的转速升高至1000 8000 rpm，~ ~ ~旋涂时间为5 s 300 s，最后通风橱内25℃晾干，旋转加速度为150 rpm/s。

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10.根据权利要求2所述的一种超亲水聚己内酯薄膜的制备方法，其特征在于步骤4）中的等离子体处理设备为射频等离子体处理设备，通入工作气体，调整真空室频率为13.56 MHz，射频功率10 50 W，基体偏压为‑50 V ‑ 250 V，工作气压0.1 2.0 Pa，处理时间1~ ~ ~ ~

60min，所述工作气体为99.99% Ar，99.99% He，99.99% O2，99.99% NH3或99.99% N2。