1.一种卷轴状超薄核冠纳米片的制备方法，其特征在于：合成的卷轴状CdSe核纳米片无需提纯处理，通过调节前驱体注入速率、生长温度条件直接在其周围外延生长卷轴状CdS冠层，最终样品的光学性能及其稳定性得到提升。

2.根据权利要求1所述的一种卷轴状超薄核冠纳米片的制备方法，其特征在于该制备方法具体步骤为：

（1）制备CdSe核纳米片：将二水醋酸镉、十八烯（ODE）加入三口烧瓶，利用氩气对混合物进行脱气，紧接着，在60‑80℃下用磁力搅拌器搅拌，在100‑120℃下搅拌一定时间，然后将温度升高到190℃，在此温度下，将含有油酸（OA）、TOP‑Se (1M)和ODE的混合物以3‑5 mL/h的速率注入三口烧瓶，反应完成后无需提纯处理，直接进行下一步外延生长CdS冠层；

（2）制备CdSe/CdS核冠纳米片：在步骤（1）所得的CdSe核纳米片原溶液的基础上，直接将反应溶液加热至CdS冠的生长温度，当达到设置温度时，使用注射泵以不同速率注入镉和硫混合物前驱体溶液，注入量可根据所需的CdS冠大小进行调节，前驱体注入完成后，反应停止，立即注入OA后将反应溶液温度降至室温，将反应溶液通过乙醇离心纯化1‑2次，在氯仿溶剂中再悬浮。

3.根据权利要求2所述的一种卷轴状超薄核冠纳米片的制备方法，其特征在于：步骤（2）中CdS冠的生长温度为160、190和240℃。

4.根据权利要求2所述的一种卷轴状超薄核冠纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中注射泵以不同速率注入镉和硫混合物前驱体溶液，其中不同速率为3、5、8 mL/h。