1.一种复合隔膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：o

（a）将陶瓷粉体、聚偏氟乙烯和溶剂混合，于60‑100C进行研磨使形成纳米复合溶胶；其中，所述陶瓷粉体和聚偏氟乙烯的质量比为（5‑7）:（3‑5）；

（b）将所述纳米复合溶胶涂覆到基体上，真空干燥使成膜，然后与基体分离，得到复合隔膜；

其中，所述聚偏氟乙烯和溶剂的质量体积比为（30‑50）mg:（0.9‑1.5）mL；所述溶剂为N‑甲基吡咯烷酮或二甲基甲酰胺；

步骤（a）中，所述陶瓷粉体包括二氧化硅和/或氧化铝。

2.根据权利要求1所述的复合隔膜的制备方法，其特征在于，步骤（a）中，所述陶瓷粉体为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的复合隔膜的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述真空干燥o的温度为100‑130C，真空干燥的时间为10‑12h。

4.根据权利要求1所述的复合隔膜的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，涂覆厚度为

200‑500μm，涂覆速度为25‑35mm/s。

5.一种复合隔膜，其特征在于，采用权利要求1‑4任一项所述的复合隔膜的制备方法制得。

6.一种复合电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：o

（a）将陶瓷粉体、聚偏氟乙烯和溶剂混合，于60‑100C进行研磨使形成纳米复合溶胶；其中，所述陶瓷粉体和聚偏氟乙烯的质量比为（5‑7）:（3‑5）；

（b）将所述纳米复合溶胶涂覆到电极上，干燥，得到复合电极；

所述聚偏氟乙烯和溶剂的质量体积比为（30‑50）mg:（0.9‑1.5）mL；

步骤（a）中，所述溶剂为N‑甲基吡咯烷酮或二甲基甲酰胺。

7.根据权利要求6所述的复合电极的制备方法，其特征在于，步骤（a）中，所述陶瓷粉体包括二氧化硅和/或氧化铝。

8.根据权利要求6所述的复合电极的制备方法，其特征在于，步骤（a）中，所述陶瓷粉体为二氧化硅。

9.根据权利要求6所述的复合电极的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述纳米复合溶胶在电极上的涂敷厚度为300‑700μm，涂敷速度为30‑35mm/s。

10.根据权利要求6所述的复合电极的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述干燥为o真空干燥，真空干燥的温度为100‑130C，真空干燥的时间为10‑12h。

11.一种复合电极，其特征在于，采用权利要求6‑10任一项所述的复合电极的制备方法制得。

12.一种电池，其特征在于，包含权利要求5所述的复合隔膜或权利要求11所述的复合电极。