1.一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极，其特征在于：钴、镧元素通过湿化学/煅烧法两步掺杂到BiVO4晶格中，且钴、镧元素的摩尔比为7:3；为钴镧共掺杂可见光响应BiVO4纳米多孔膜光阳极薄膜；

BiVO4光电极的制备方法，包括如下步骤：

步骤1、配制碘化钾KI、五水合硝酸铋Bi(NO3)3·5H2O、硝酸HNO3的混合水溶液，将对苯醌‑乙醇溶液逐滴加入，充分搅拌，配制成前驱体溶液一；

步骤2、以前驱体溶液一为电解液，采用三电极体系，以氟掺杂二氧化锡（FTO）透明导电玻璃为工作电极，铂Pt片电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，在相对参比电极电位下进行电沉积，制得前驱体铋氧碘BiOI薄膜电极；

步骤3、将乙酰丙酮氧钒VO(acac)2溶于二甲基亚砜DMSO中作为钒源，向其中加入钴源、镧源，并混合均匀，配制成前驱体溶液二；

步骤4、移取前驱体溶液二均匀涂覆于铋氧碘BiOI薄膜电极上，在50 100℃下烘干；

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步骤5、将烘干的铋氧碘BiOI薄膜电极转移至马弗炉中，进行400 550℃煅烧1 2h；

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步骤6、将煅烧完成的铋氧碘BiOI薄膜电极浸泡在氢氧化钠NaOH水溶液中除去电极表面过剩的V2O5，再用超纯水反复冲洗并干燥，得到钴镧共掺杂的BiVO4多孔膜光电极；

步骤2中，所述的相对参比电极电位为‑0.2‑‑0.1 V；所述的采用三电极体系进行电沉积的时间为5 15 min；

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步骤3中，所述的钴源为乙酰丙酮钴Co(acac)2，镧源为镧源金属离子，具体为乙酰丙酮镧La(acac)3；所述的二甲基亚砜DMSO为1~ 3mL；

步骤4中，所述的移取前驱体溶液二为0.1‑0.2mL；

步骤5中，所述的马弗炉中升温速率为2‑10℃/min；

步骤6中，所述的氢氧化钠NaOH水溶液为1mol/L；Co/La‑BiVO4薄膜，薄膜厚度为1~2μm；

Co/La‑BiVO4薄膜由纳米颗粒堆积而成的纳米多孔结构，颗粒直径为100‑200nm，具有可见光响应。