1.一种可见光响应的硫掺杂碲化铋纳米线光催化材料的制备方法，其特征在于：首先利用水热合成方式制备Te纳米线前驱体，然后将所述Te纳米线前驱体与Bi源混合水热制备Bi4Te3纳米线，最后将所述Bi4Te3纳米线与硫脲混合并恒温水浴磁力搅拌，即获得目标产物S掺杂Bi4Te3纳米线。

2.根据权利要求1所述的可见光响应的硫掺杂碲化铋纳米线光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将0.06～0.08g Na2TeO3、0.9～1.0g PVPK30、3～4mL质量浓度为25～28％的氨水和

1～2mL水合肼加入到30～35mL去离子水中，磁力搅拌形成均质溶液，倒入水热反应釜内并封盖，然后转移到水热烘箱中，升温至180℃，保温3h，自然冷却到室温；反应产物用丙酮提取，离心收集，获得Te纳米线前驱体；

(2)将步骤(1)所得Te纳米线前驱体分散于30～35mL去离子水中，超声5～10min，加入

0.1～0.15g Bi(NO3)3并磁力搅拌混合均匀，再滴加1mL水合肼，倒入水热反应釜内并封盖，然后转移到水热烘箱中，升温至150℃，保温12h，自然冷却到室温；离心收集所得产物，获得Bi4Te3纳米线；

(3)将步骤(2)所得Bi4Te3纳米线分散于30～35mL去离子水中，同时加入0.1～0.15g硫脲，放于恒温磁力搅拌器中60℃～66℃搅拌12h，然后转移到水热烘箱中，60℃～66℃保温

12h，离心、洗涤、60℃干燥，即获得目标产物S掺杂Bi4Te3纳米线。

3.根据权利要求2所述的可见光响应的硫掺杂碲化铋纳米线光催化材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)与步骤(2)所用水热反应釜为聚四氟乙烯衬底，容积为50mL。

4.根据权利要求2所述的可见光响应的硫掺杂碲化铋纳米线光催化材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)与步骤(2)中的磁力搅拌时间为20～40min。

5.根据权利要求2所述的可见光响应的硫掺杂碲化铋纳米线光催化材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)、步骤(2)与步骤(3)中，所述离心的离心力为9000×g、离心时间为5～

8min。

6.一种权利要求1～5中任意一项所述制备方法所制得的可见光响应的硫掺杂碲化铋纳米线光催化材料。