1.一种基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线包括：介质基板、金属地板、MGAA单元、矩形寄生微带和同轴馈线；

所述MGAA单元与矩形寄生微带附着于介质基板的上侧，所述金属地板附着于介质基板的下侧；

所述MGAA单元呈漏斗形状，位于介质基板中间位置，所述MGAA单元的中心位置与同轴馈线的内导体相连进行馈电，用以辐射低频的线极化电磁波；

所述矩形寄生微带位于MGAA单元中心的左右两侧，用以辐射高频的线极化波。

2.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述MGAA单元边缘为倒圆角结构，所述倒圆角结构用于拓展带宽。

3.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述矩形寄生微带的长宽分别为0.24λ和0.06λ，所述矩形寄生微带靠近MGAA单元的一侧进行切角处理用以增加耦合量。

4.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述矩形寄生微带的切角方向与MGAA斜边角度相同，距离MGAA单元距离为0.3mm。

5.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述同轴馈线的外导体与金属地板相连，所述同轴馈线的内导体穿过所述介质基板，与辐射MGAA单元进行焊接。

6.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述MGAA单元和矩形寄生微带均为对称结构。

7.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述介质基板的介电常数为3.0，损耗角正切为0.002，剖面高度为0.05λ。

8.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述金属地板的材质为铜，尺寸为140mm*70mm。

9.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述同轴馈线为50欧姆的同轴馈线，所述同轴馈线的内导体半径为0.4mm，圆心位于MGAA单元的两个斜边的中心位置。

10.如权利要求1所述的基于MGAA单元超低剖面双频单层小型移动天线，其特征在于，所述矩形寄生微带的长度为9.8mm，宽度为1.4mm。