1.一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于，包括衬底、拓扑绝缘体层、磁致伸缩材料，所述拓扑绝缘体层置于所述衬底上，所述拓扑绝缘体层的表面设有空腔，所述磁致伸缩材料填充所述空腔。

2.如权利要求1所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述衬底的材料为氧化铝。

3.如权利要求1所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述拓扑绝缘体层的材料为硒化铋。

4.如权利要求1所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述空腔为圆形。

5.如权利要求1所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述空腔不贯穿所述拓扑绝缘体层。

6.如权利要求5所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述空腔的底部与所述拓扑绝缘体层的底面之间的距离小于200纳米。

7.如权利要求1所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述磁致伸缩材料为超磁致伸缩材料。

8.如权利要求7所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述超磁致伸缩材料为TbDyFe材料。

9.如权利要求1所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述空腔周期性排布。

10.如权利要求9所述的基于太赫兹波吸收的磁场探测装置，其特征在于：所述空腔排布的周期为方形周期。