1.一种吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底(31)，在所述衬底(31)上制作形成支撑层(32)；

在所述支撑层(32)上制作形成热敏层(33)；

在所述支撑层(32)和所述热敏层(33)上制作形成导电层；

在所述热敏层(33)上制作形成吸收层(34)；

在所述衬底(31)的背向所述吸收层(34)的表面上制作通光孔(31a)；

将可动反射镜(20)的基座(10)与所述衬底(31)固定连接，使得所述吸收层(34)与所述可动反射镜(20)的反射面对准。

2.根据权利要求1所述的吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，在所述支撑层(32)上制作形成所述热敏层(33)之后，所述制备方法还包括对所述热敏层(33)的两侧部分进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，其特征在于，在所述支撑层(32)和所述热敏层(33)上制作形成所述导电层(35)之后，所述制备方法还包括对所述热敏层(33)上的部分所述导电层(35)进行刻蚀，使得所述热敏层(33)暴露。

4.根据权利要求3所述的吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，其特征在于，在所述支撑层(32)和所述热敏层(33)上制作形成所述导电层(35)之后，所述制备方法还包括在所述导电层(35)和所述热敏层(33)上制作形成绝缘层(36)。

5.根据权利要求4所述的吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，其特征在于，在所述导电层(35)和所述热敏层(33)上制作形成绝缘层(36)之后，所述制备方法还包括对所述热敏层(33)两侧的所述绝缘层(36)、所述导电层(35)和所述支撑层(32)的部分区域进行刻蚀，以在所述绝缘层(36)、所述导电层(35)和所述支撑层(32)上形成多个连续的长条孔(37)。

6.根据权利要求1所述的吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，其特征在于，将所述基座(10)与所述衬底(31)固定连接，使得所述吸收层(34)与所述可动反射镜(20)的反射面对准的具体方法为：制作形成多个粘贴柱(40)，将所述多个粘贴柱(40)的两端分别粘贴于所述基座(10)和所述衬底(31)。

7.根据权利要求1所述的吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，其特征在于，采用低压气相沉积工艺在所述衬底(31)上制作形成所述支撑层(32)，所述支撑层(32)为氮化硅层，所述支撑层(32)的厚度范围为20～30nm。

8.根据权利要求1所述的吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射工艺在所述支撑层(32)上制作形成所述热敏层(33)，所述热敏层(33)为氧化钒层，所述热敏层(33)的厚度为5～10nm。

9.根据权利要求4所述的吸收波长可调的太赫兹波探测装置的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射工艺在所述绝缘层(36)正对所述热敏层(33)的部分制作形成所述吸收层(34)，所述吸收层(34)为镍铬合金层，所述吸收层(34)的厚度为5nm。

10.一种吸收波长可调的太赫兹波探测装置，其特征在于，包括可动反射镜(20)和探测器(30)；

所述探测器(30)包括衬底(31)、设于所述衬底(31)上的支撑层(32)、设于所述支撑层(32)上的热敏层(33)、设于所述热敏层(33)上的吸收层(34)和设于所述热敏层(33)两侧且与所述热敏层(33)电连接的导电层(35)；

所述可动反射镜(20)的基座(10)与所述探测器(30)相对设置，且所述可动反射镜(20)的反射面与所述吸收层(34)相向，所述可动反射镜(20)用于沿着垂直于所述反射面的方向上活动；所述衬底(31)上设有用于暴露所述吸收层(34)和所述可动反射镜(20)的通光孔(31a)。