1.一种石墨烯转移方法，其特征在于，具体包括以下步骤：(1)将共混物在氯仿中搅拌使其充分溶解，得到共混物溶液；

(2)将生长在铜箔上的石墨烯剪成合适尺寸；

(3)将步骤1)共混物溶液旋涂到生长在铜箔上的石墨烯表面，让溶剂自然挥发1～2天，再抽真空24H以上，得到复合物；

(4)将步骤3)得到的复合物采用电化学气泡法将铜箔刻蚀，得到与PLLA/PMMA共混物薄膜粘接的石墨烯；

(5)将步骤4)得到的与PLLA/PMMA共混物薄膜粘接的石墨烯依次转移到去离子水中、浓度为0.1mol/L盐酸溶液和去离子水中漂洗，以去除石墨烯薄膜上残留的氢氧化钠溶液，然后将薄膜转移至目标基底上并烘干；

(6)利用光学显微镜对转移至目标基底上的薄膜进行微观结构研究，并用显微热台对其进行热处理，然后将其放入N‑N二甲基甲酰胺中刻蚀，刻蚀之后取出样品风干即可。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(1)中，所述共混物溶液的浓度为6％g/ml。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(1)中，所述共混物为左旋聚乳酸、聚双酚A碳酸酯或聚乙烯醇与PMMA的共混物。

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(2)中，所述在铜箔上生长石墨烯的方法为化学气相沉积法。

5.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(3)中，所述旋涂时旋涂仪功率设置为500r/min(6s)或2000r/min(20s)。

6.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于，步骤(4)中，所述电化学气泡法中铜箔作为阳极，镍箔作为阴极，电解质为氢氧化钠溶液，转移电压为3V。

7.根据权利要求6所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的浓度为0.1mol/L。

8.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(5)中，反复漂洗以去除与PLLA/PMMA共混物薄膜粘接的石墨烯上残留的氢氧化钠溶液。

9.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(6)中，所述目标基底为石英片或硅片。

10.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(6)中，所述烘干的温度为40℃，时间为2H以上。

11.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(6)中，所述显微热台的升温速率为10℃/min，所述热处理时温度为180℃，保温时间为2‑5min。

12.根据权利要求1所述的一种石墨烯转移方法，其特征在于步骤(6)中，所述刻蚀时的温度为70‑100℃，时间为10‑30min。