1.一种高线性低功耗型混频器，其特征在于，包括：依次电性连接的H型架构混频器核、本振信号单端转差分电路和整形驱动电路；

所述H型架构混频器核包括变压器T1、变压器T2、变压器T3和场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4；

其中，所述变压器T1由上到下依次包含第一二级线圈、中心二级筛选线圈和第二二级线圈，所述第一二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3，所述第二二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3；

当电压输入为正信号时，场效应晶体管Q2和场效应晶体管Q3为导通状态，形成接地的低阻抗，同时场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q4为截止状态，变压器T2和变压器T3中的电流在中频输出端汇合相加；

当电压输入信号为负信号时，场效应晶体管Q2和场效应晶体管Q3为截止状态，同时场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q4为导通状态，所述第一二级线圈和第二二级线圈连接于电路中。

2.如权利要求1所述的一种高线性低功耗型混频器，其特征在于，所述中心二级筛选线圈大于所述第一二级线圈和第二二级线圈。

3.如权利要求2所述的一种高线性低功耗型混频器，其特征在于，所述本振信号单端转差分电路中的本振信号经过D触发器转化为差分信号，经过整形驱动电路放大至方波信号，所述方波信号驱动H型架构混频器核。

4.如权利要求3所述的一种高线性低功耗型混频器，其特征在于，还包括：射频巴伦电路，所述射频巴伦电路将射频信号转化为差分信号，在将混频后的差分中频信号转化成单端信号输出。