1.一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷，其特征在于：所述微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。

2.根据权利要求1所述的一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷，其特征在于：所述微波介质陶瓷的相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。

3.一种制备权利要求1‑2任意一项所述的低损耗氟氧化物微波介质陶瓷的方法，其特征在于：包括以下步骤：以MgF2与TiO2为原料；将MgF2与TiO2经第一次球磨混合后，于800～

1000 ℃下预烧；将预烧产物经第二次球磨后，于1100～1200℃下烧结，制成所述微波介质陶瓷。

4.根据权利要求3所述的一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：所述MgF2和TiO2的纯度均不低于99.99%。

5.根据权利要求3所述的一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：所述TiO2与MgF2的混合质量比为1：（1.05‑1.08）。

6.根据权利要求3所述的一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：预烧时，以3 8℃/min的速度升温至800～1000℃预烧2 4h。

~ ~

7.根据权利要求3所述的一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：第二次球磨后，将得到的球磨物与粘结剂混合后压制为生坯，对所述生坯进行烧结。

8.根据权利要求7所述的一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：所述粘结剂包括4～6wt%的聚乙烯醇溶液。

9.根据权利要求7所述的一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：对所述生坯进行烧结时，首先以5 15℃/min的速度升温至550 650℃，保温1 3h；然后以3 8~ ~ ~ ~

℃/min的速度升温至1100 1200℃烧结2 4h；然后以0.5 1.5℃/min的速度降温至850 950~ ~ ~ ~

℃，最后降至室温。

10.根据权利要求3所述的一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：第一次球磨或/和第二次球磨时，待球磨物料、球磨介质、无水乙醇的混合质量比为1：（5‑7）：（3‑5），球磨速度为180‑220r/min。