1.一种阵列化钼掺杂二硒化钴复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将钴盐水溶液与2‑甲基咪唑水溶液搅拌混合，得到混合溶液A；

所述的混合溶液A采用以下比例的组分：

水60‑100mL；

钴盐1‑3mmol；

2‑甲基咪唑8‑24mmol；

所述的钴盐为硝酸钴、氯化钴、硫酸钴中的一种；

(2)将步骤(1)所得的混合溶液A转移至反应器后加入柔性基底，静置反应后将柔性基底取出、洗涤、干燥得到前驱体Co‑MOF阵列；

(3)将钼酸钠先溶于水，随之加入乙醇，混合搅拌均匀，得到混合溶液B，将前驱体Co‑MOF阵列浸入混合溶液B进行水浴，待水浴结束后，洗涤干燥得到双金属氢氧化物Mo‑Co LDH阵列；

(4)将吡咯、十二烷基苯磺酸钠、氯化钠先后溶于去离子水，搅拌混合，得到混合溶液C，将步骤(3)所得的Mo‑Co LDH阵列浸泡在混合溶液C中进行电沉积包覆聚吡咯，沉积结束后将Mo‑Co LDH阵列洗涤、干燥后得到Mo‑Co LDH@PPy阵列；

(5)取硒粉和步骤(4)所得的Mo‑Co LDH@PPy阵列于管式炉中，在保护性气体下热处理，冷却后，得到阵列化钼掺杂二硒化钴复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，静置反应的温度为10‑60℃，静置反应的时间为3‑5小时。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的水和乙醇与钼酸钠的用量之比为100mL：0.1‑1.0g，其中水和乙醇中水与乙醇的体积比1：3～5。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，水浴温度为70‑95℃，时间为10‑20分钟。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述的混合溶液C采用以下比例的组分：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述保护性气体为氮气或氩气，热处理的温度为300‑500℃，热处理的保温时间为1‑3小时。

7.根据权利要求1～6任一项所述的制备方法制备的阵列化钼掺杂二硒化钴复合材料，其特征在于，为片状结构。

8.根据权利要求7所述的阵列化钼掺杂二硒化钴复合材料作为钠离子电池负极材料的应用。