1.剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列电极材料，其特征在于，通过以下方法制备而成：

1）Ni3Se2纳米线阵列前驱体模板的制备：将Se粉和乙二胺溶液混合，完全溶解后加入预处理的泡沫镍，在反应釜中水热处理后，反应釜自然冷却，反应后的泡沫镍经洗涤，真空干燥，获得Ni3Se2纳米线阵列前驱体模板；

2）混合溶剂反应液的制备：将四水合乙酸钴加入到苯甲醚和甲醇的混合溶剂中，加热

2+

溶解，制备得到混合溶剂反应液；其中：混合溶剂反应液中Co 的浓度为 0.01 ‑ 0.05 mol ‑3

dm ，苯甲醚和甲醇的体积比为3:1～7:1；

3）剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列的合成：将步骤（2）的混合溶剂反应液移入反应釜中，加入步骤（1）合成的Ni3Se2纳米线阵列前驱体模板，密封后在100‑140℃条件下进行溶剂热处理，反应结束后自然冷却；所得产物经洗涤，真空干燥，得剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列。

2.如权利要求1所述的剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列电极材料，其特征在于，其内部是一维的Ni3Se2纳米线，NiSe和CoSe纳米片包裹在Ni3Se2纳米线上，兼有一维和二维结构特点的剑兰花状纳米结构。

3.如权利要求1或2所述的剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列电极材料，其特征在于，NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列结构中的三种物质之间的摩尔比为：NiSe：CoSe：Ni3Se2 ≈ 3：3：1。