1.一种简化制程的刀刮二极管芯片，其特征在于，使用N型硅片基底，在底部进行磷源扩散制作N+，上部进行硼源扩散制作P+，N+底部及P+上部均设有镍/金金属层，芯片四周及边缘“鸟嘴”均包裹在玻璃钝化保护层内，“鸟嘴”处于台面平面之下，且整个台面均是可焊接面。

2.一种权利要求1中所述一种简化制程的刀刮二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

1）基片选材：使用N型单晶硅片制作；

2）基片清洗：硅片经过混酸漂洗去除硅片切割研磨后产生的表面损伤层，后经过表面清洗剂等超声清洗去除表面残留颗粒，然后去离子水进行超声清洗，最后进行甩干烘干；

3）磷扩散：硅片一面进行定量磷液态源涂覆，烘烤固化冷却后，收片压舟，以立扩的方式进入3点控温高温炉进行扩散，形成一定浓度与结深的N+层；

4）一次吹砂清洗：去除硅片经过磷扩散表面形成的磷硅玻璃层，再进行金刚砂喷除处理，然经过表面清洗剂等超声清洗后进行甩干烘干；

5）硼扩散：硅片经过吹砂未扩磷的一面，通过定量液态硼源的涂覆，烘烤固化冷却后，收片压舟，以立扩的方式进入3点控温高温炉进行扩散，形成一定浓度与结深的P+层；

6）二次喷砂清洗：去除硅片经过硼扩散表面形成的硼硅玻璃层，再进行金刚砂喷除处理，然经过表面清洗剂等超声清洗后进行甩干烘干；

7）氧化退火：在通入定量氧气的三点控温高温炉内，去除硅片的应力，表面的氧化层具有吸杂的作用；

8）一次光刻：在硅片扩硼面涂覆一层均匀的负性光刻胶，软烤后进行曝光、显影、定影及硬烤坚膜，以将设计的掩膜版上的图形复制到表面；

9）沟槽腐蚀：光刻后的硅片在一定比例混酸内进行沟槽腐蚀暴露出PN结，有光刻胶附着的区域被保护不参与反应；

10）鸟嘴腐蚀：沟槽腐蚀后经过分割的芯片边缘鸟嘴已形成，再使用一定比例混酸进行腐蚀处理；

11）清洗：对腐蚀后暴露的PN结，通过混酸漂洗、氢氟酸去氧化、RCA清洗、超声清洗；

12）刮涂玻璃粉、含擦粉：将玻璃粉刮涂在硅片清洗后PN结沟槽内，经过烘烤固化后，对表面进行擦粉处理，仅留沟槽内的玻璃；

13）玻璃钝化：在高温炉管内，沟槽内的玻璃经历软化、熔融、降温固化形成致密稳定的保护层；

14）去氧化：浸泡缓冲氧化物刻蚀液BOE对经过高温后硅片表面形成二氧化硅氧化层进行去除，以便后续金属化；

15）镀镍/金：以化学镀的方式在硅片表面镀上一层镍金属层，在低温炉内进行镍烧结形成镍硅合金，再镀一次镍增加焊接性，还可加镀一层金增加其抗氧化性能；

16）电性测试：按照产品设计要求，分隔后的芯片进行100%测试，不良芯片被打点器标记上墨点；

17）激光切割：使用红外激光将硅片上的芯片按照黄光设计版图进行切割，分割成独立的半导体二极管芯片。

3.根据权利要求2所述的一种简化制程的刀刮二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤3）液态磷源为磷酸二氢铵与无水乙醇的混合液，磷扩散温度1200‑1270℃，扩散时间

2‑5小时，期间通入高纯氮气与氧气，其比例为5‑8:1‑2；经过高温磷扩散后形成一定浓度与深度的N+层，N+层方块电阻要求0.25‑0.35Ω/口，深度10‑20um。

4.根据权利要求2所述的一种简化制程的刀刮二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤5）液态硼源为氧化硼、硝酸铝溶于乙二醇乙醚的混合液，硼扩散温度1260‑1270℃，扩散时间22‑30小时，期间通入高纯氮气与氧气，其比例为3‑6:1‑2.经过高温硼扩散形成一定浓度与深度的P+层，P+层方块电阻要求0.1‑0.2Ω/口，深度95‑115um。

5.根据权利要求2所述的一种简化制程的刀刮二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤9）硅片使用低温硝酸：氢氟酸：硫酸：冰醋酸的体积比是9:9:12:4‑8，混酸进行腐蚀，作业温度‑10至‑3摄氏度，时间900‑1500秒，腐蚀深度135‑160um。

6.根据权利要求2所述的一种简化制程的刀刮二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤10）沟槽腐蚀后的硅片加硝酸：氢氟酸：磷酸：冰醋酸的体积比是3‑6:1‑2:1:1‑2，混酸腐蚀，作业温度‑3至3℃，时间180‑420秒，使鸟嘴比台面平面下移5‑20um。

7.根据权利要求2所述的一种简化制程的刀刮二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述缓冲氧化物刻蚀液BOE中氟化铵：氢氟酸的体积比是6‑8:1。