1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一衬底；在衬底表面通过蚀刻或者激光划片工艺形成若干沟道，所述沟道把衬底表面分割成表面积与最终芯片大小基本一致的若干生长岛；

步骤二、控制外延的横向生长速率与纵向生长速率比例，在所述生长岛上形成侧壁倾斜的外延结构，在外延结构厚度的前80%的生长过程中，所述横向生长速率与纵向生长速率比为V1；在外延结构剩下的生长过程中，所述横向生长速率与纵向生长速率比为V2，所述V1大于V2，所述外延结构包括形成于所述生长岛上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；

步骤三、在所述第一半导体层和第二半导体层上分别形成第一电极和第二电极；

步骤四、在衬底的另一面进行减薄处理，减薄到预设厚度；

步骤五、依照所述沟道进行崩裂，形成发光二极管芯片。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述沟道的深度为

10～50微米、宽度为5～20微米。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述横向生长速率与纵向生长速率比为V，控制V在4：1～1：4之间。

4.如权利要求1-3任一项所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述外延生长的工艺为金属有机化学气象沉积工艺或者氢化物气象外延工艺。

5.如权利要求1-3任一项所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，步骤一与步骤二之间还包括将衬底进行清洗的步骤。

6.如权利要求1-3任一项所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，步骤一采用频率为8KHZ至9KHZ的脉冲式激光器进行划片形成沟道。

7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述生长岛的侧壁为锯齿状或者波浪状。

8.如权利要求7所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述生长岛的锯齿状侧壁为蓝宝石的晶面。

9.如权利要求1-3任一项所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤一中还包括在形成沟道之前或者之后，在生长岛上形成图形化微结构的步骤。

10.如权利要求1-3任一项所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述外延结构的侧壁与生长岛之间的角度为105度至165度之间。

11.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一衬底；在衬底表面通过蚀刻或者激光划片工艺形成若干沟道，所述沟道把衬底表面分割成表面积与最终芯片大小基本一致的若干生长岛；

步骤二、控制外延的横向生长速率与纵向生长速率比例，在所述生长岛上形成侧壁倾斜的外延结构，在外延结构厚度的前80%的生长过程中，所述横向生长速率与纵向生长速率比为V1；在外延结构剩下的生长过程中，所述横向生长速率与纵向生长速率比为V2，所述V1大于V2，所述外延结构包括形成于所述生长岛上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；

步骤三、在第二半导体层上形成第二电极；

步骤四、去除衬底，在第一半导体层上形成第一电极，形成发光二极管芯片。

12.如权利要求11所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述沟道的深度为

10～50微米、宽度为5～20微米。

13.如权利要求11所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤一中还包括在形成沟道之前或者之后，在生长岛上形成图形化微结构的步骤。

14.如权利要求11所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述横向生长速率与纵向生长速率比为V，控制V在4：1～1：4之间。

15.如权利要求11-14任一项所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述外延结构的侧壁与生长岛之间的角度为105度至165度之间。