1.一种铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将锡盐和铽盐溶解于溶剂中，得到溶液A；

步骤二，将溶液A旋涂在衬底上制备成膜，并放在加热台上以第一温度加热，获得基于衬底的薄膜；

步骤三，将步骤二获得基于衬底的薄膜采用快速热退火设备在第二温度下进行退火处理，快速热退火的升温度速度为200℃/s；降温的速度为100‑200℃/s，获得基于衬底的铽掺杂氧化锡薄膜，其中，所述铽掺杂氧化锡薄膜为光致发光材料，所述第二温度大于所述第一温度。

2.根据权利要求1所述的铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述铽盐包括六水合氯化铽、硝酸铽、硫酸铽、碳酸铽中的一种或几种；所述锡盐包括二水合氯化亚锡、硫酸亚锡、硝酸亚锡中的一种或几种。

3.根据权利要求2所述的铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡盐和铽盐的物质的量比为100：(0.06‑29)。

4.根据权利要求3所述的铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡盐和溶剂的摩尔体积比为1mmol:(7.5‑113.6)ml。

5.根据权利要求1所述的铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括乙醇，所述旋涂的层数为1‑10层。

6.根据权利要求1所述的铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底包括半导体衬底，所述半导体衬底包括晶体硅衬底、锗衬底、砷化镓衬底、或氮化镓衬底。

7.根据权利要求1所述的铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一温度为

10‑250℃，所述第二温度为100‑1300℃，所述退火处理的时间为1‑100s。

8.根据权利要求7所述的铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的时间为1‑40s，所述铽掺杂氧化锡薄膜包含非晶态铽掺杂氧化锡。

9.一种铽掺杂氧化锡薄膜，其特征在于，由权利要求1‑8任意一项的铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法制备而得。

10.根据权利要求9所述的铽掺杂氧化锡薄膜，其特征在于，所述铽掺杂氧化锡薄膜在

500nm、550nm、590nm和630nm波段光致发光。