1.一种S‑C波段有源可调带通滤波器，其特征在于，包括C波段带通滤波器单元(1)和S波段滤波可调单元(2)，C波段带通滤波器单元(1)包括半模基片集成波导单元(3)和微带线转共面波导馈电部分(4)，半模基片集成波导单元(3)包括上层金属部分(5)、下层金属接地部分(6)、中层介质基板部分(7)、若干金属通孔(8)，上层金属部分(5)、下层金属接地部分(6)分别印制在中层介质基板部分(7)的上层、下层，金属通孔(8)设置在中层介质基板部分(7)的一侧，微带线转共面波导馈电部分(4)位于上层金属部分(5)的两侧且印制在中层介质基板部分(7)的上层，上层金属部分(5)远离金属通孔(8)的一端横向设置两个谐振单元槽(14)，两个谐振单元槽(14)及其纵向连线在上层金属部分(5)上构成的矩形区域内部为一端开路一端短路四分之一波长谐振单元(9)，上层金属部分(5)靠近金属通孔(8)的一端设有第一扼流电感(10)；

S波段滤波可调单元(2)包括第一矩形金属片(11‑1)、第二矩形金属片(11‑2)、第三矩形金属片(11‑3)、十个PIN二极管(12)和三个第二扼流电感(13)，S波段滤波可调单元(2)印制在中层介质基板部分(7)的上层，第一矩形金属片(11‑1)、第三矩形金属片(11‑3)分别通过三个PIN二极管(12)与上层金属部分(5)靠近谐振单元槽(14)的一端相连，第二矩形金属片(11‑2)通过四个PIN二极管(12)与上层金属部分(5)靠近谐振单元槽(14)的一端相连，第二矩形金属片(11‑2)位于第一矩形金属片(11‑1)与第三矩形金属片(11‑3)之间，第二矩形金属片(11‑2)的纵向长度与两个谐振单元槽(14)纵向连线长度相同，每个矩形金属片均设置一个第二扼流电感(13)。

2.根据权利要求1所述的S‑C波段有源可调带通滤波器，其特征在于，半模基片集成波导单元(3)由SMA接头馈电，微带线转共面波导馈电部分(4)的微带金属线接SMA结构的内芯，下层金属接地部分(6)接SMA结构的外芯。

3.根据权利要求1所述的S‑C波段有源可调带通滤波器，其特征在于，微带线转共面波导馈电部分(4)两侧均设有纵向的第一开槽(15)，远离S波段滤波可调单元(2)的第一开槽(15)在靠近谐振单元槽(14)的一端设有横向的第二开槽(16)。

4.根据权利要求1所述的S‑C波段有源可调带通滤波器，其特征在于，微带线转共面波导馈电部分(4)的微带线金属横向尺寸(a)为1.28mm、纵向尺寸(f)为8.92mm，下层金属接地部分(6)横向尺寸(b)为20mm；第一开槽(15)横向尺寸(c)为0.25mm，第二开槽(16)纵向尺寸(d)为0.31mm、横向尺寸(e)为2mm。

5.根据权利要求1所述的S‑C波段有源可调带通滤波器，其特征在于，上层金属部分(5)横向尺寸(g)为15mm、纵向尺寸(h)为15mm；一端开路一端短路四分之一波长谐振单元(9)纵向尺寸(j)为6.44mm，谐振单元槽(14)横向尺寸(i)为8.1mm、纵向尺寸(k)为0.31mm。

6.根据权利要求1所述的S‑C波段有源可调带通滤波器，其特征在于，金属通孔(8)有25个，其中19个金属通孔(8)纵向排列在中层介质基板部分(7)一侧，在纵向排列的19个金属通孔(8)中间位置及距离中间位置两侧长度(l)为4.8mm处各有两个横向排列的金属通孔(8)，相邻金属通孔(8)的间距为0.8mm，金属通孔(8)半径为0.1mm。

7.根据权利要求1所述的S‑C波段有源可调带通滤波器，其特征在于，矩形金属片与上层金属部分(5)之间的横向距离(m)为0.2mm，三个矩形金属片彼此之间的纵向距离(k)为

0.31mm，矩形金属片横向尺寸(n)为3.6mm，第一、第三矩形金属片纵向尺寸(p)为3.97mm，第二矩形金属片纵向尺寸(q)为6.44mm。

8.根据权利要求1所述的S‑C波段有源可调带通滤波器，其特征在于，上层金属部分(5)、S波段滤波可调单元(2)、下层金属接地部分(6)厚度为0.035mm；中层介质基板(7)相对介电常数为2.2，损耗正切为0.0009，厚度为0.5mm。