1.晶圆级封装结构，包括模塑料体(1)，其特征在于，所述模塑料体(1)的底部设有芯片槽(2)和环形槽(8)，芯片槽(2)位于环形槽(8)的内侧，芯片槽(2)内设有芯片(3)，所述芯片(3)的底部设有电极(4)，模塑料体(1)的底部设有金属布线层(5)，所述模塑料体(1)的底部设有封盖层(12)，封盖层(12)的底部设有绝缘层(13)，绝缘层(13)上安装有绝缘层(13)和封盖层(12)之间设有凸点下金属层(6)，所述凸点下金属层(6)的顶部分别与电极(4)和金属布线层(5)连接，所述凸点下金属层(6)的底部设有焊球(7)，所述封盖层(12)上设有通孔一(10)，绝缘层(13)上设有与通孔一(10)对接的通孔二(11)，所述通孔一(10)与环形槽(8)连通，芯片槽(2)和环形槽(8)之间设有散热片(9)。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述通孔一(10)和通孔二(11)的截面均为圆形结构，通孔一(10)和通孔二(11)的截面直径相同。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述电极(4)和金属布线层(5)的底部位于同一平面内。

4.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述散热片(9)为多个，芯片槽(2)和环形槽(8)之间设有多个用于散热片(9)安装的安装孔，多个安装孔的长度不同。

5.晶圆级封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将模塑料体(1)分别开设芯片槽(2)和环形槽(8)；

S2、在芯片槽(2)和环形槽(8)之间开设多个安装孔，并把散热片(9)安装于安装孔内；

S3、在芯片槽(2)内安装有芯片(3)，然后在模塑料体(1)的底部设置金属布线层(5)；

S4、在封盖层(12)设置用于放置芯片(3)上的电极的开口一和用于放置金属布线层(5)的开口二，然后设置通孔一(10)和用于放置凸点下金属层(6)的连通孔，连通孔与开口一和开口二连通；

S5、将封盖层(12)设置在模塑料体(1)的底部；

S6、取绝缘层(13)开设与通孔一(10)对接的通孔二(11)，并安装与电极(4)和金属布线层(5)连接的凸点下金属层(6)；

S7、将绝缘层(13)安装于封盖层(12)的底部，同时使得凸点下金属层(6)的顶部进入到连通孔，凸点下金属层(6)分别与电极(4)和金属布线层(5)接触，通孔一(10)与通孔二(11)对接；

S8、在凸点下金属层(6)上制作焊球(7)。

6.根据权利要求5所述的晶圆级封装结构，其特征在于，通过激光钻孔的工艺形成开口一、开口二、通孔一(10)通孔二(11)。

7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述绝缘层(13)上开设有适配孔，凸点下金属层(6)安装适配孔内，且凸点下金属层(6)的顶部贯穿适配孔。