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专利号: 2021112460294
申请人: 厦门大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-01
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种发光材料,其特征在于:所述发光材料由多孔材料复合发光物质组成,化学通式为:N@AX·aPbX2·bMX2,其中N代表多孔材料;@表示复合;AX·aPbX2·bMX2代表发光物质,其中A为Cs;X为Cl;M为Sr;0.7

(2)将多孔材料N加入至步骤(1)所获得的溶液Q中,加热搅拌均匀,获得溶液R;

(3)蒸发步骤(2)中的获得溶液R,至溶剂S完全挥发,获得粉末G;

(4)将粉末G进行灼烧,获得粉末T;

(5)将粉末T加入水中,搅拌离心获得沉淀物H;

(6)将沉淀物H进行干燥处理,获得所述发光材料。

2.根据权利要求1所述发光材料,其特征在于:N为介孔二氧化硅、KIT‑6分子筛、MCM‑41分子筛、SBA分子筛、MCM‑22分子筛、钛硅分子筛TS‑1、SAPO‑34分子筛、SAPO‑11分子筛、ZSM‑

5分子筛、Y型分子筛、ZSM‑35分子筛、β分子筛、ZSM‑23分子筛、3A分子筛、4A分子筛、5A分子筛和13X分子筛中的至少一种。

3.根据权利要求2所述发光材料,其特征在于:步骤(4)中的灼烧的温度为450~900℃。

4.根据权利要求1‑3任一项所述发光材料,其特征在于:所述发光材料被波长范围为

300~365nm的任意光激发,获得波长在460~760nm之间的光谱,所述光谱的半高宽在15~

30nm之间。

5.根据权利要求4所述发光材料,其特征在于:所述发光材料在水中浸泡200天后发光强度下降比例不超过初始值的10%。

6.根据权利要求4所述发光材料,其特征在于:所述发光材料在125℃下的发光强度下降比例不超过室温时的50%。

2

7.根据权利要求4所述发光材料,其特征在于:所述发光材料在功率密度为150mW/cm 、波长为365nm的蓝光照射2000h后发光强度下降比例不超过初始值的40%。

8.一种权利要求1‑7中任一项所述发光材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)按照化学通式准备各物质,将含有A的化合物、含有Pb的化合物和含有M的化合物按照名义组成为AX·aPbX2·bMX2的比例混合,加入溶剂S,使溶质溶解于溶剂S中,获得溶质的名义组成为AX·aPbX2·bMX2的溶液Q;所述含有A的化合物为CsCl;所述含有Pb的化合物为PbCl2;所述含有M的化合物为SrCl2,所述溶剂S为水;

(2)将多孔材料N加入至步骤(1)所获得的溶液Q中,加热搅拌均匀,获得溶液R;

(3)蒸发步骤(2)中的获得溶液R,至溶剂S完全挥发,获得粉末G;

(4)将粉末G进行灼烧,获得粉末T;

(5)将粉末T加入水中,搅拌离心获得沉淀物H;

(6)将沉淀物H进行干燥处理,获得所述发光材料,所述发光材料由多孔材料复合发光物质组成,化学通式为:N@AX·aPbX2·bMX2,其中N代表多孔材料;@表示复合;AX·aPbX2·bMX2代表发光物质,其中A为Cs;X为Cl;M为Sr;0.7

9.根据权利要求8所述发光材料的制备方法,其特征在于:将含有A的化合物、含有Pb的化合物和含有M的化合物按照名义组成为AX·aPbX2·bMX2的比例混合,在50~90℃的条件下加热,至完全溶解于溶剂S,获得溶质的名义组成为AX·aPbX2·bMX2的溶液Q,所述溶液Q的质量浓度介于5g/L~100g/L之间。

10.根据权利要求8所述发光材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述多孔材料N与溶液Q的质量之比为0.1:1~0.5:1;加热的温度为50~90℃,搅拌的时间为1~3h,获得溶液R。

11.根据权利要求10所述发光材料的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,蒸发的温度为

75‑85℃。

12.根据权利要求8‑11任一项所述发光材料的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,所述灼烧的温度为450~900℃,灼烧的时间为0.5~6h。

13.根据权利要求12所述发光材料的制备方法,其特征在于:步骤(5)中,粉末T加入水中,水的质量与粉末T的质量之比为1:1~1:5;所述离心的速率为500转/min~3000转/min,离心后获得沉淀物H。

14.权利要求1‑7任一项所述发光材料或者权利要求8‑13任一项所述发光材料的制备方法制备得到的发光材料在白光照明和/或显示用背光源上的应用。

15.一种LED器件,其特征在于:包含权利要求1‑7任一项所述发光材料,或者权利要求

8‑13任一项所述发光材料的制备方法制备得到的发光材料。

16.根据权利要求15所述LED器件,其特征在于:所述LED器件为Mini‑LED器件,包含尺寸为(0.05mm~0.2mm)×(0.05mm~0.2mm)的LED芯片及发光层,其中,所述LED芯片发出波长范围在300~470nm之间的光谱;所述发光层为固化有所述发光材料的硅胶层或环氧树脂层,所述发光材料的质量占所述发光层总质量的5~75%。