1.一种近红外荧光材料，其特征在于，该材料为RESc3‑xCrx(BO3)4，其中，RE为稀土元素Ce、Eu、Gd、Lu、Y和Tb中的一种或者几种，且Ce与Gd不共存；0.001≤x≤0.30。

2.根据权利要求1所述的近红外荧光材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

S1：将所述稀土元素的氧化物、Sc2O3、H3BO3和Cr(NO3)3·9H2O混合均匀，并进行第一次煅烧处理，得到第一煅烧产物；

S2：将所述第一煅烧产物与助熔剂混合均匀，并进行第二次煅烧处理，得到第二煅烧产物；

S3：将所述第二煅烧产物依次经过破碎、研磨、水洗、过滤和烘干处理，得到所述近红外荧光材料。

3.根据权利要求2所述的近红外荧光材料的制备方法，其中，所述稀土元素的氧化物为CeO2、Eu2O3、Gd2O3、Lu2O3、Y2O3和Tb4O7中的一种或者几种，且CeO2与Gd2O3不共存。

4.根据权利要求2所述的近红外荧光材料的制备方法，其中，进行所述第一次煅烧处理的设备包括刚玉坩埚和马弗炉；

所述第一次煅烧处理的加热条件包括：以3‑10℃/min升温至150‑250℃，保温0.5‑

2.5h，再以3‑10℃/min升温至400‑800℃，保温1.5‑2.5h，并随炉冷却至室温。

5.根据权利要求2所述的近红外荧光材料的制备方法，其中，所述助熔剂为AlF3。

6.根据权利要求2或5所述的近红外荧光材料的制备方法，其中，以所述第一煅烧产物的重量计，所述助熔剂的用量为1‑2.5％。

7.根据权利要求2所述的近红外荧光材料的制备方法，其中，进行所述第二次煅烧处理的设备包括刚玉坩埚和马弗炉；

所述第二次煅烧处理的加热条件包括：以3‑10℃/min升温至850‑1050℃，保温0.5‑2h，再以3‑10℃/min升温至1150‑1350℃，保温2‑8h，又以3‑10℃/min降温至300‑800℃，并随炉冷却至室温。

8.一种LED发光器件，其特征在于，该LED发光器件为通过权利要求1所述的近红外荧光材料和/或通过权利要求2‑7中任意一项所述的近红外荧光材料的制备方法制备得到的近红外荧光材料制备得到。

9.根据权利要求8所述的LED发光器件的制备方法，其中，将所述近红外荧光材料单独或者与发生波长峰值为630‑670nm的氮化物共同与透明硅胶混合；并利用封装技术，制备得到所述LED发光器件。

10.根据权利要求9所述的LED发光器件的制备方法，其中，

2+

所述发生波长峰值为630‑670nm的氮化物为红色荧光粉CaAlSiN3:Eu ；

2+

所述近红外荧光材料、红色荧光粉CaAlSiN3:Eu 与透明硅胶的质量比为(0.5‑3.5)：(0‑1.5)：(1.5‑2.5)。