1.一种陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料，其特征在于所述陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料是通过氮化铝陶瓷基板与钛通过烧结反应扩散结合得到的；

氮化铝陶瓷基板与钛烧结反应过程中形成界面扩散区域，界面扩散区域含有两种或两种以上的化合物组织；

化合物组织包括Ti3Al2N2、Ti3AlN、TiN1‑x和Al2Ti；

陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料的制备方法包括以下步骤：取氮化铝陶瓷，进行表面清洁处理；

取钛原料，进行预处理；

将步骤（1）得到的处理后的氮化铝陶瓷和步骤（2）得到的处理后的钛原料叠装，放入烧结炉，在真空或保护气氛下，在压力下进行烧结处理，结合得到陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料；

其中，烧结处理的条件为：烧结温度1300 1600 ℃，保温时间10 30 min。

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2.如权利要求1所述的一种陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料，其特征在于所述步骤（1）中表面清洁处理包括：表面打磨、清洗、干燥。

3.如权利要求1所述的一种陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料，其特征在于所述步骤（2）中钛原料的纯度大于99.5％，包括钛粉或钛箔，所述钛粉的预处理方法为：压片处理，所述钛箔的预处理方法为：表面打磨、清洗、干燥。

4.如权利要求1所述的一种陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料，其特征在于所述步骤（3）中压力为10 40 MPa。

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5.如权利要求1‑4任一所述的陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料在作为电子封装材料上的应用。