1.一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，该器件包括：源极P+区（1）、源极N+区（2）、P‑body（3）、漂移区（6）、漏极N+区（7）、漏极N‑buffer区（8）、漏极P+区（9）、P型辅助耗尽区（10）、槽栅P+接触区（11）和二氧化硅隔离层（12）；其中，所述源极P+区（1）、源极N+区（2）、P‑body（3）、漂移区（6）、漏极N‑buffer区（8）和漏极N+区（7）从左至右依次排列组成LDMOS导电区；所述槽栅P+接触区（11）、P型辅助耗尽区（10）、漏极N‑buffer区（8）、漏极N+区（7）和漏极P+区（9）从左至右依次排列组成双侧面超结槽栅区；所述二氧化硅隔离层（12）用于分离双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区，LDMOS导电区位于二氧化硅隔离层（12）内侧，双侧面超结槽栅区位于二氧化硅隔离层（12）外侧。

2.根据权利要求1所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，所述漂移区（6）包括左右排列的漂移区Ⅰ（6‑1）和漂移区Ⅱ（6‑2）；其中漂移区Ⅰ（6‑1）掺杂浓度大于漂移区Ⅱ（6‑2）的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，所述P型辅助耗尽区（10）包括左右排列的P型辅助耗尽区Ⅰ（10‑1）、P型辅助耗尽区Ⅱ（10‑2）；其中P型辅助耗尽区Ⅰ（10‑1）的掺杂浓度小于P型辅助耗尽区Ⅱ（10‑2）的掺杂浓度。

4.根据权利要求1 3中任意一项所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，

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该器件还包括位于双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区下侧的埋氧层（4），以及位于埋氧层（4）下侧的衬底（5）。