1.一种正压力不敏感型叉指电容式应变传感器的制备方法，其特征在于：该方法用于制备一种正压力不敏感型叉指电容式应变传感器，该传感器包括柔性上基板（1）、柔性下基板（2）；柔性上基板（1）的下表面开设有叉指型微流控通道（3），且叉指型微流控通道（3）的两个接线端与柔性上基板（1）的上表面之间各开设有一个上下贯通的填充孔（4）；柔性上基板（1）的下表面和柔性下基板（2）的上表面粘合在一起；叉指型微流控通道（3）内填充有液态金属叉指电极（5）；两个填充孔（4）的孔口均封堵有粘接剂（6）；

柔性上基板（1）和柔性下基板（2）均呈长方形，二者的厚度均小于1mm，二者均采用PDMS制成；两个填充孔（4）的直径均为1mm；液态金属叉指电极（5）的厚度为50μm、相邻两个指部的间距为200μm、每个指部的长度均为1cm、每个指部的宽度均为100μm；粘接剂（6）采用Sil‑Poxy硅胶粘接剂；液态金属叉指电极（5）的两个接线端各连接有一根导线（13）；

该方法是采用如下步骤实现的：

步骤S1：制备柔性上基板（1）；具体步骤如下：

步骤S1.1：选取第一硅片（7），然后采用光刻工艺在第一硅片（7）的上表面形成叉指型凸起（8）；

步骤S1.2：在第一硅片（7）的上表面旋涂第一PDMS层（9），并保证第一PDMS层（9）将叉指型凸起（8）全部覆盖，然后将第一PDMS层（9）进行固化；

步骤S1.3：将固化后的第一PDMS层（9）进行剥离，由此得到下表面开设有叉指型微流控通道（3）的柔性上基板（1）；

步骤S1.4：在叉指型微流控通道（3）的两个接线端与柔性上基板（1）的上表面之间各钻设一个上下贯通的填充孔（4）；

步骤S2：制备柔性下基板（2）；具体步骤如下：

步骤S2.1：选取第二硅片（10）；

步骤S2.2：在第二硅片（10）的上表面旋涂第二PDMS层（11），然后将第二PDMS层（11）进行固化；

步骤S2.3：将固化后的第二PDMS层（11）进行剥离，由此得到柔性下基板（2）；

步骤S3：将柔性上基板（1）的下表面和柔性下基板（2）的上表面粘合在一起；

步骤S4：将柔性上基板（1）和柔性下基板（2）切割成长方形；

步骤S5：在两个填充孔（4）的孔口各放置一滴液态金属（12）；

步骤S6：先采用真空填充法将两滴液态金属（12）填充入叉指型微流控通道（3）内形成液态金属叉指电极（5），再在液态金属叉指电极（5）的两个接线端各插入一根导线（13），然后采用粘接剂（6）将两个填充孔（4）的孔口进行封堵，由此完成制备。

2.根据权利要求1所述的一种正压力不敏感型叉指电容式应变传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，光刻工艺的步骤依次为：涂胶、前烘、曝光、后烘、显影；

涂胶时，所涂光刻胶为SU‑8 3035负光刻胶，先将旋涂速度设定为500rpm并持续11s，再将旋涂速度调整为2000rpm并持续30s；

前烘时，烘烤温度为95℃，前烘时间为15min；

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曝光时，曝光光源为紫外光，曝光时间为4s，曝光能量为250mJ/cm；

后烘时，在烘烤温度为65℃下烘烤1min，在烘烤温度为95℃下烘烤5min；

显影时，所用显影液为SU‑8显影液。

3.根据权利要求1所述的一种正压力不敏感型叉指电容式应变传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1和步骤S2中，固化是采用加热板进行的，加热温度为80℃，加热时间为4h。

4.根据权利要求1所述的一种正压力不敏感型叉指电容式应变传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，填充孔（4）是采用穿孔器钻设而成的。

5.根据权利要求1所述的一种正压力不敏感型叉指电容式应变传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1和步骤S2中，PDMS由弹性体基体与固化剂按质量比10:1混合而成。

6.根据权利要求1所述的一种正压力不敏感型叉指电容式应变传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，采用等离子体将柔性上基板（1）的下表面和柔性下基板（2）的上表面粘合在一起。

7.根据权利要求1所述的一种正压力不敏感型叉指电容式应变传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤S6中，真空填充法的具体步骤如下：将柔性上基板（1）和柔性下基板（2）置于真空室中20min；释放真空后，大气压力推动两滴液态金属（12）流入叉指型微流控通道（3）内形成液态金属叉指电极（5）。