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专利号: 2021109106069
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-08-25
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种二级结构CuS中空球的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)按照0.01 0.04 mol/L的浓度,将铜源溶于1,2‑丙二醇中,配制成溶液A;

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2)按照0.01 0.02 mol/L的浓度,将硫源溶于去离子水中,配制成溶液B;

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3)将溶液A和溶液B按照体积比1:(0.2~1)混合;

4)将上述混合液在30 60 ℃下反应10 14小时,反应结束后,进行洗涤、干燥,得到二级~ ~结构CuS中空球;

二级结构铜源为三氟甲磺酸铜、乙酰丙酮铜或钼酸铜;

二级结构硫源为硫代氨基脲、硫代硫酸铵或L‑甲硫氨酸;

所述二级结构CuS中空球由一维纳米棒和二维纳米片组装而成。

2.根据权利要求1所述的二级结构CuS中空球的制备方法,其特征在于,在步骤4)中,洗涤次数为3 6次,真空干燥温度为 60 80 ℃,干燥时间为8 11小时。

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3.一种二级结构CuS中空球,其特征在于,根据权利要求1‑2任一项所述的制备方法制备得到。

4.根据权利要求3所述的二级结构CuS中空球,其特征在于,直径为270 300 nm。

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5.根据权利要求3所述的二级结构CuS中空球作为钠离子电池负极材料的应用。