1.一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在基体上存在空位缺陷的表面侧制备覆盖在所述表面侧的二氧化钒薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括退火工艺，所述退火工艺的步骤包括：将所述表面侧的二氧化钒薄膜放在密闭的型腔中，先使得型腔中的初始压强小于‑0.1MPa，再通入氩气至型腔中的压强为0MPa；反复该过程2‑5次。

3.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，利用等离子辉光技术对基体表面进行活化，形成空位缺陷。

4.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，利用磁控溅射的方式在所述表面侧制备二氧化钒薄膜。

5.根据权利要求3所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述利用等离子辉光技术对基体表面进行活化，形成空位缺陷包括如下步骤：‑3 ‑4

将基体放在双辉等离子渗镀炉中，再使得双辉等离子渗镀炉内压强为10 ‑10 Pa，向离子渗镀炉内通入氩气，氩气流速控制在80‑150sccm，离子渗镀炉内气压保持在30‑50Pa，开启阴极电源，施加200‑300V电压对基片进行5‑15分钟左右的预轰击。

6.根据权利要求5所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述预轰击完成后，调整阴极电源电压为300‑600V，电流0.1‑1A，使得基体上产生等离子辉光放电区，氩气电离成氩离子不断轰击基体的表面侧，在基体表面侧形成空位缺陷。

7.根据权利要求4所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述利用磁控溅射的方式在所述表面侧制备二氧化钒薄膜包括如下步骤：将靶材与基体放在磁控溅射炉中，靶材与基体存在空位缺陷侧的极间距为5‑10cm，先‑4 ‑4

将磁控溅射炉内的压强保持在1×10 ‑6×10 Pa，再向磁控溅射炉中以10：1‑30：1的比例通入氩气和氧气，氩气流速为20‑60sccm，氧气流速为1‑3sccm，使得磁控溅射炉内气压最终稳定在1‑2Pa，接着，将基片加热到200‑500℃，并施加100‑300V的基片偏压，打开靶材处直流电源并施加100‑300V电压，对靶材进行3‑10分钟左右的预溅射，预溅射完成后调整直流电源的功率为100‑300W，打开挡板开始向基片溅射。

8.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述基体包括非晶石英玻璃，所述靶材包括钒靶。

9.一种二氧化钒薄膜，其特征在于，所述二氧化钒薄膜是利用如权利要求1‑8任一权利要求所述的方法制备而成的。

10.一种二氧化钒薄膜在智能窗口和红外探测领域中的应用，其特征在于，所述二氧化钒薄膜是利用如权利要求1‑8任一权利要求所述的方法制备而成的。