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专利号: 2021108498547
申请人: 湖北科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-11-04
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于准周期光子多层与石墨烯的复合结构,将两种折射率不同的电介质薄片层和石墨烯层依次逐层堆叠,所述电介质薄片满足Octonacci序列规则;

其特征在于,

所述Octonacci序列的迭代规则为:SN=SN‑1SN‑2SN‑1,N≥3时,而N=1和2时,S1=A,S2=B,其中N为序列的序数;

所述复合结构为SN‑1GSN‑2GSN‑1,其中G表示石墨烯层;

A、B是两种折射率不同的均匀电介质;

则:S3=BAB,S4=BABBBAB,S5=BABBBABBABBABBBAB,S6=S5S4S5,S7=S6S5S6,S8=S7S6S7,……。

2.如权利要求1所述的复合结构,其特征在于,所述序数N=5的Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构,此结构也可以表示成BABBBABGBABGBABBBAB。

3.如权利要求1所述的复合结构,其特征在于,所述第 一电介质层(A)为硅,所述第二电介质层(B)为二氧化硅。

4.如权利要求1所述的复合结构,其特征在于,电介质A为二氧化硅,折射率为na=3.53,厚度为1/4光学波长,即da=λ0/4na=0.1098μm,其中λ0=1.55μm为中心波长;B为硅,折射率为nb=1.46,厚度为db=λ0/4nb=0.2654μm;单层石墨烯的厚度为0.33nm。

5.一种四值全光开关,其特征在于,包括如权利要求1‑4中任意一种所述的基于准周期光子多层与石墨烯的复合结构。

6.一种光存储器,其特征在于,包括如权利要求1‑4中任意一种所述的基于准周期光子多层与石墨烯的复合结构。

7.一种四态光逻辑器,其特征在于,包括如权利要求1‑4中任意一种所述的基于准周期光子多层与石墨烯的复合结构。