1.一种石墨烯等离激元气体传感器，其特征在于，包括基底(1)、石墨烯层(2)和贵金属颗粒层(3)，所述基底(1)、所述石墨烯层(2)和所述贵金属颗粒层(3)由下至上依次设置，所述贵金属颗粒层(3)包括多个贵金属颗粒(301)，所述贵金属颗粒(301)位于所述石墨烯层(2)的上方。

2.根据权利要求1所述的石墨烯等离激元气体传感器，其特征在于，所述石墨烯层(2)和所述贵金属颗粒层(3)之间设有介质层(4)，所述介质层(4)的介质为光催化材料。

3.根据权利要求2所述的石墨烯等离激元气体传感器，其特征在于，所述介质层(4)为TiO2层。

4.根据权利要求2所述的石墨烯等离激元气体传感器，其特征在于，所述基底(1)包括重掺杂的硅衬底(101)和SiO2层(102)，所述硅衬底(101)和所述SiO2层(102)由下至上层叠设置。

5.根据权利要求4所述的石墨烯等离激元气体传感器，其特征在于，还包括背电极(5)，所述石墨烯层(2)的面积小于所述SiO2层(102)的面积，使所述SiO2层(102)具有未被所述石墨烯层(2)覆盖的部分，所述SiO2层(102)设有镂空区域，所述镂空区域位于所述SiO2层(102)未被所述石墨烯层(2)覆盖的部分，所述背电极(5)设于所述镂空区域处。

6.根据权利要求1所述的石墨烯等离激元气体传感器，其特征在于，所述石墨烯层(2)设有多个凹槽(201)，多个所述凹槽(201)形成周期性纳米结构。

7.根据权利要求1所述的石墨烯等离激元气体传感器，其特征在于，所述贵金属颗粒(301)为Au或Ag纳米颗粒。

8.一种石墨烯等离激元气体传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、在基底的上表面制备石墨烯层；

步骤S2、在石墨烯层上沉积贵金属层；

步骤S3、将贵金属层的贵金属颗粒制备成贵金属纳米颗粒。

9.根据权利要求8所述的石墨烯等离激元气体传感器的制作方法，其特征在于，在步骤S2中，沉积贵金属层前，在石墨烯层上先沉积一层光催化材料形成介质层，使石墨烯层、介质层和贵金属层由下至上依次设置。

10.根据权利要求8所述的石墨烯等离激元气体传感器的制作方法，其特征在于，在步骤S2中，沉积贵金属层前，通过刻蚀在石墨烯层上制作周期性纳米结构。