1.一种白光OLED器件，由下到上分别为ITO玻璃基底层、空穴传输层、发光层、电子传输层，金属阴极层；ITO玻璃基底层是以ITO导电玻璃作为器件的衬底和阳极，PEDOT:PSS作为空穴注入层和电极修饰层进一步形成空穴传输层，TPBI为器件的电子传输层，钙和银构成金属阴极层，其特征在于发光层由主体材料DTCPFB和OXD-7，客体材料FIrpic、Ir(bt)2(acac)构成，DTCPFB的分子式如下：

2.根据权利要求1所述一种白光OLED器件，其电子传输层、发光层、TPBI、钙、银的厚度分别为35纳米、55纳米、35纳米、10纳米、100纳米。

3.根据权利要求1所述一种白光OLED器件，其主体材料和客体材料的比例为DTCPFB:OXD-7:FIrpic:Ir(bt)2(acac)＝19:11:3:(0.09-0.12)。

4.一种如权利要求1所述白光OLED器件的制备方法，包括如下步骤：步骤一：ITO导电玻璃作为器件的衬底和阳极，在经过裁切和刻蚀后，依次经过洗涤剂清洗，超纯水、丙酮、乙醇三步超声清洗处理并烘干；

步骤二：将步骤一中烘干的ITO玻璃经过紫外臭氧处理15分钟；

步骤三：在步骤二中处理好的ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS原液作为空穴注入层，并起到润滑ITO玻璃基底的作用；

步骤四：将步骤三中旋涂好的基片放入鼓风干燥箱中在120℃下退火20分钟后转移到氮气手套箱；

步骤五：将预先配制好的溶解充分的发光层混合溶液旋涂于步骤四退完火的基片上，之后置于热台在120℃下退火20分钟；

步骤六：将步骤五中的基片接着转移至多源有机小分子真空蒸镀系统中，抽真空至腔-5室压力低于9×10 Pa之后，保持在该压力下接着蒸镀一层35nm厚的TPBI作为电子传输层，停止加热后在该真空状态下待蒸发源温度冷却至60℃以下，向蒸镀腔室充入手套箱中的氮气至常压后将基片从中取出；

步骤七：将步骤六的基片接着放入多源金属真空蒸镀系统中，抽真空至腔室压力低于-5

9×10 Pa之后，依次蒸镀一层10nm厚的钙和一层100nm的银作为金属阴极；

步骤八：镀膜结束，保持该真空状态下待电极冷却至室温，然后向腔室充入手套箱中的氮气至常压，取出基片，即得到溶液法制备的多组分掺杂单发光层白光器件。

5.根据权利要求1所述的一种白光OLED器件的制备方法，在所述步骤一中，超纯水、丙酮、乙醇三步超声清洗的步骤，其超声时间依次为10分钟，20分钟，20分钟。

6.根据权利要求1所述的一种白光OLED器件的制备方法，在所述步骤三中，旋涂PEDOT:PSS原液前需先经过水性滤头的过滤，滤头规格为0.25μm。

7.根据权利要求1所述的一种白光OLED器件的制备方法，在所述步骤三中，PEDOT:PSS原液的旋涂条件参数为转速1500rps(转/分)，时间设定50秒。

8.根据权利要求1所述的一种白光OLED器件的制备方法，在所述步骤五中，所配制的溶液浓度为16mg/mL，旋涂条件参数为转速3000rps，时间设定30秒。

9.根据权利要求1所述的一种白光OLED器件的制备方法，在所述步骤六中，TPBI的蒸镀速度为 在步骤七中，金属钙的蒸镀速度为 金属银的蒸镀速度为薄膜的生长速度和膜厚由膜厚仪进行监测。

10.根据权利要求1所述的一种白光OLED器件的制备方法，所述步骤五至八的操作都在真空手套箱中进行，手套箱气氛控制在含水量<1ppm，含氧量<1ppm。