1.一种单晶颗粒组装片层WNb2O8，该WNb2O8是由单晶颗粒组装片层的二维片层状物质，且该WNb2O8的晶型为正交晶型。

2.根据权利要求1所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8，其特征在于，所述单晶颗粒的粒径为100 400nm。

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3.根据权利要求1或2所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8，其特征在于，所述WNb2O8的尺寸在2μm 10μm之间。

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4.一种单晶颗粒组装片层WNb2O8的制备方法，其特征在于，包括：（1）提供含有多层铌基MXenes材料、钨源的前驱体；

（2）将所述前驱体研磨后退火处理，即得；

步骤（1）中，所述多层铌基MXenes材料与钨源的质量比为0.8 1.5:1；

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步骤（2）中，所述退火处理温度为800 1000℃，退火处理时间为3 5小时。

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5.权利要求4所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述前驱体的制备方法为：将层状的铌基MXenes材料和钨源加入溶剂中，搅拌均匀后蒸干，即得。

6.权利要求5所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8的制备方法，其特征在于，所述钨源包括WCl6、Na2WO4•2H2O中的至少一种。

7.权利要求5所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括乙醇、乙二醇、甲醇、DMF溶剂、蒸馏水中的至少一种。

8.权利要求5所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述蒸干的温度为50 90℃，蒸干后去除掉溶剂，得到多层铌基MXenes材料、钨源的均匀混合~物，即前驱体。

9.权利要求4所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述多层铌基MXenes材料与钨源的质量比为1:1。

10.权利要求4所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述多层铌基MXenes材料的制备方法包括：用氢氟酸对Nb2AlC刻蚀，分离出固体产物，对固体产物清洗后干燥，即得。

11.权利要求1‑3任一项所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8和/或权利要求4‑9任一项所述的方法制备的单晶颗粒组装片层WNb2O8在储能材料中的应用。

12.根据权利要求11所述的单晶颗粒组装片层WNb2O8的应用，其特征在于，将所述单晶颗粒组装片层WNb2O8作为锂电池负极材料。