1.一种气体传感器，其特征在于，含单晶颗粒薄膜，所述单晶颗粒薄膜的制备方法包括以下步骤：

S101：选取导电玻璃作为衬底；

S102：选取粒径范围为0.1μm～5μm的单晶颗粒在去离子水中搅拌分散，单晶颗粒与去离子水的比例为1g/100ml～15g/100ml；

S103：待单晶颗粒沉淀后，抽干容器中的去离子水，抽水速度为50～300ml/min，取出导电玻璃片烘干，得到单晶颗粒薄膜；

所述气体传感器的制备方法包括以下步骤：S201：将制备好的单晶颗粒薄膜在真空中进行第一次退火，退火温度为400℃～550℃，退火时间为2h～4h；

S202：利用液相法在单晶颗粒薄膜制备ZnO薄膜层；

S203：将制备了ZnO层的薄膜在真空中进行第二次退火，退火温度为100℃～200℃，退火时间为0.5h～3h；

S204：利用银浆在ZnO层上制备电极，得到气体传感器。

2.根据权利要求1所述的一种气体传感器，其特征在于，在步骤S101中，所述的导电玻璃为钼玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种气体传感器，其特征在于，在步骤S203中，ZnO层厚度为

150nm～400nm。