1.一种单晶颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S101：选取导电玻璃作为衬底；

S102：选取单晶颗粒在去离子水中搅拌分散；

S103：待单晶颗粒沉淀后，抽干容器中的去离子水，取出导电玻璃片烘干，得到单晶颗粒薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种单晶颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤S101中，所述的导电玻璃为钼玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种单晶颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤S102中，抽水速度为50～300ml/min。

4.根据权利要求1所述的一种单晶颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤S102中，所述的单晶颗粒的粒径范围为0.1μm～5μm。

5.根据权利要求1所述的一种单晶颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤S102中，所述的单晶颗粒与去离子水的比例为1g/100ml～15g/100ml。

6.权利要求1-5任一所述的方法制备得到单晶颗粒薄膜。

7.一种气体传感器，其特征在于，含有权利要求6所述的单晶颗粒薄膜。

8.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S201：将制备好的单晶颗粒薄膜在真空中进行第一次退火；

S202：利用液相法在单晶颗粒薄膜制备ZnO薄膜层；

S203：将制备了ZnO层的CZTS薄膜在真空中进行第二次退火；

S204：利用银浆在ZnO层上制备电极，得到气体传感器。

9.根据权利要求8所述的一种气体传感器的制备方法，其特征在于，在步骤S201中，第一次退火温度为400℃～550℃，退火时间为2h～4h，在步骤S203中，第二次退火温度为100℃～200℃，退火时间为0.5h～3h。

10.根据权利要求8或9所述的一种气体传感器的制备方法，其特征在于，在步骤S203中，所述的ZnO层厚度为150nm～400nm。