1.一种半导体器件参数测试装置，其特征在于：包括微控制器、多路DA转换电路、功率放大电路、倍压电路、恒流电路、多路继电器线圈驱动电路、第一继电器KA1、第二继电器KA2、第三继电器KA3、第四继电器KA4、第五继电器KA5、限流电阻R1、第一取样电阻R2、第二取样电阻R3、第三取样电阻R4、第一取样电路、第二取样电路、第三取样电路、第四取样电路、多路AD转换电路、第一测试接口、第二测试接口以及第三测试接口；

所述微控制器通过数据总线分别与所述多路继电器线圈驱动电路的输入端、所述多路DA转换电路的输入端以及所述多路AD转换电路的输出端连接；

所述多路继电器线圈驱动电路的输出端与电源电压VCC之间电连接有所述第一继电器KA1的线圈、所述第二继电器KA2的线圈、所述第三继电器KA3的线圈、所述第四继电器KA4的线圈以及所述第五继电器KA5的线圈，且所述第一继电器KA1的线圈、所述第二继电器KA2的线圈、所述第三继电器KA3的线圈、所述第四继电器KA4的线圈以及所述第五继电器KA5的线圈并联；

所述多路DA转换电路的输出端通过所述功率放大电路与所述第一继电器KA1的转换触点的动端连接，所述第一继电器KA1的转换触点的一个静端通过所述倍压电路与所述第二继电器KA2的转换触点的动端连接，所述第一继电器KA1的转换触点的另一个静端通过非倍压线路与所述第二继电器KA2的转换触点的动端连接；所述第二继电器KA2的转换触点的一个静端通过所述限流电阻R1与所述第三继电器KA3的转换触点的动端连接，所述第二继电器KA2的转换触点的另一个静端通过非限流线路与所述第三继电器KA3的转换触点的动端连接；所述第三继电器KA3的转换触点的一个静端通过所述第一取样电阻R2连接在所述第一测试接口上，所述第三继电器KA3的转换触点的另一个静端通过所述第二取样电阻R3连‑1接在所述第一测试接口上；所述第一取样电阻R2的阻值的数量级为10 欧姆，所述第二取样

5

电阻R3的阻值的数量级为10欧姆；

所述多路DA转换电路的输出端还与所述第四继电器KA4的转换触点的动端连接，所述第四继电器KA4的转换触点的一个静端依次通过所述恒流电路以及所述第三取样电阻R4连接在所述第五继电器KA5的常闭触点的一端，所述第四继电器KA4的转换触点的另一个静端通过非恒流线路连接在所述恒流电路与所述第三取样电阻R4之间；所述第五继电器KA5的常闭触点的另一端连接在所述第二测试接口上；所述第三测试接口接地；

所述第一取样电路的一取样端连接在所述第三继电器KA3的转换触点的动端上，所述第一取样电路的另一取样端连接在所述第一测试接口上，所述第一取样电路的输出端连接在所述多路AD转换电路的输入端上；

所述第二取样电路的一取样端连接在所述第三取样电阻R4的一端上，所述第二取样电路的另一取样端连接在所述第三取样电阻R4的另一端上，所述第二取样电路的输出端连接在所述多路AD转换电路的输入端上；

所述第三取样电路的一取样端连接在所述第二测试接口上，所述第三取样电路的另一取样端连接在所述第三测试接口上，所述第三取样电路的输出端连接在所述多路AD转换电路的输入端上；

所述第四取样电路的一取样端连接在所述第一测试接口上，所述第四取样电路的另一取样端连接在所述第三测试接口上，所述第四取样电路的输出端连接在所述多路AD转换电路的输入端上；

所述多路DA转换电路具体为双极性输出的多路DA转换电路；所述第三取样电阻R4的阻‑1

值的数量级为10 欧姆。

2.根据权利要求1所述的半导体器件参数测试装置，其特征在于：所述半导体器件参数测试装置用于测量待测二极管或待测三极管的参数；所述第一测试接口用于接入待测三极管的集电极或待测二极管的阳极，所述第二测试接口用于接入待测三极管的基极，所述第三测试接口用于接入待测三极管的发射极或待测二极管的阴极。

3.根据权利要求1所述的半导体器件参数测试装置，其特征在于：还包括串口，所述串口与所述微控制器连接。

4.根据权利要求1所述的半导体器件参数测试装置，其特征在于：还包括显示屏，所述显示屏与所述微控制器连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件参数测试装置，其特征在于：还包括按键，所述按键与所述微控制器连接。

6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体器件参数测试装置，其特征在于：所述多路继电器线圈驱动电路包括位移寄存器和5个晶体管，所述位移寄存器的型号为74HC595，所述位移寄存器的数据输入端连接在所述微控制器的IO接口上，所述位移寄存器的5位并行数据输出端分别通过5个所述晶体管对应与所述第一继电器KA1的线圈、所述第二继电器KA2的线圈、所述第三继电器KA3的线圈、所述第四继电器KA4的线圈以及所述第五继电器KA5的线圈连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件参数测试装置，其特征在于：所述晶体管具体为NPN型三极管。

8.根据权利要求1至5任一项所述的半导体器件参数测试装置，其特征在于：所述第一继电器KA1、所述第二继电器KA2、所述第三继电器KA3、所述第四继电器KA4以及所述第五继电器KA5均为5V的继电器。