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专利号: 2021107605537
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-07-29
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂,其特征在于,按如下方法制备得到:

(1)将钴盐与铁盐的混合溶液与有机配体溶液混合,加入预处理后的泡沫镍基底,于

100~140℃下水热反应1~6h,之后取出泡沫镍,经洗涤干燥后即在泡沫镍基底上得到前驱体材料;

所述有机配体为二甲基咪唑、对苯二甲酸或邻苯二甲酸;

(2)将步骤(1)所得负载有前驱体材料的泡沫镍放入管式炉中,同时放入还原剂硼氢化钠粉末,在惰性气体保护下升温至250~450℃煅烧0.5~4.5h,得到CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂。

2.如权利要求1所述富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂,其特征在于,步骤(1)中,所述钴盐与铁盐的混合溶液中,钴盐浓度为100~120mmol/L,钴盐与铁盐的摩尔比为1:0.04~0.08,溶剂为甲醇或丙酮。

3.如权利要求1所述富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂,其特征在于,步骤(1)中,所述有机配体溶液的浓度为100~400mmol/L,溶剂为甲醇或丙酮。

4.如权利要求1所述富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂,其特征在于,步骤(1)中,所述钴盐与铁盐的混合溶液与有机配体溶液的体积比为1:1。

5.如权利要求1所述富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂,其特征在于,步骤(1)中,所述钴盐选自硝酸钴、氯化钴、乙酸钴中的任意一种。

6.如权利要求1所述富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂,其特征在于,步骤(1)中,所述铁盐选自氯化铁、硝酸铁、硫酸铁中的任意一种。

7.如权利要求1所述富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂,其特征在于,步骤(1)中,所述泡沫镍基底使用前经过如下预处理:依次用丙酮、去离子水、3M盐酸、去离子水、无水乙醇在超声条件下清洗15分钟,真空干燥后备用。

8.如权利要求1~7任一项所述富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂在电解水析氧反应中的应用。