1.一种表面抗氧化涂层，其特征在于：所述表面抗氧化涂层为Si/MoSi2复合涂层，其中，Si与MoSi2的物质的量之比为(1～1.5):1，所述Si为单质Si结晶相，所述MoSi2为C11b型MoSi2结晶相。

2.根据权利要求1所述的表面抗氧化涂层，其特征在于：所述Si/MoSi2复合涂层的晶粒结构为等轴晶，平均晶粒尺寸为30～40nm，且所述等轴晶呈现为密堆积排列。

3.根据权利要求2所述的表面抗氧化涂层，其特征在于：所述C11b型MoSi2结晶相在(002)方向具有择优取向。

4.根据权利要求2所述的表面抗氧化涂层，其特征在于：在700℃空气环境条件下氧化

1/2

60小时，所述表面抗氧化涂层的氧化曲线的线性拟合方程为t＝0.011x +1.510，生长速率

2 ‑1

常数为0.011μmh ，t为表面抗氧化层的厚度，厚度单位为微米，x为时间，时间单位为小时。

5.根据权利要求2所述的表面抗氧化涂层，其特征在于：在700℃空气环境条件下氧化

60小时，所述表面抗氧化涂层的表面形成一层连续致密的保护膜，所述保护膜的厚度为

100nm。

6.一种表面抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1，采用磁控溅射在基底表面形成Si/MoSi2共沉积层，磁控溅射同时采用MoSi2化合物靶和单质Si靶进行共溅射，溅射过程中，控制所述单质Si靶与所述MoSi2化合物靶的沉积速率之比为(1～1.5):1；

步骤2，将所述Si/MoSi2共沉积层进行退火，制备得到Si/MoSi2复合涂层。

7.根据权利要求6所述的表面抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：步骤1中，所述MoSi2化合物靶的功率为100～130W，所述Si靶的功率为30～120W。

8.根据权利要求7所述的表面抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：所述MoSi2化合物靶的功率为110～120W，所述Si靶的功率为50～100W。

9.根据权利要求6所述的表面抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：步骤2中，退火温度为950℃～1000℃，退火时间为0.5～1小时。

10.一种表面改性钛合金，其特征在于：所述钛合金包括钛合金基底以及形成于所述钛合金基底上的如权利要求1‑5任一项所述的表面抗氧化涂层，所述表面抗氧化涂层的厚度为1～2微米。