1.一种窄带蓝光荧光粉，其特征在于，所述窄带蓝光荧光粉的化学组成式为：K2Ba1‑

2+

xPO4F:xEu ，其中0

2.根据权利要求1所述的一种窄带蓝光荧光粉，其特征在于，所述窄带蓝光荧光粉中：钾源为氢氧化钾、氧化钾或钾的碳酸盐，钡源为氢氧化钡、氧化钡或钡的碳酸盐，磷源为磷酸铵、磷酸一氢铵或磷酸二氢铵，氟源为氟化钾、氟化钡或氟化铵。

3.根据权利要求1或2所述的一种窄带蓝光荧光粉，其特征在于，x取值为0.015。

4.一种窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下过程：将所述窄带蓝光荧光粉的原料进行预烧，之后随炉自然冷却至室温，得到中间体，所述

2+

窄带蓝光荧光粉的原料满足通式K2Ba1‑xPO4F:xEu 的化学计量比，其中0

将所述中间体研磨成粉末并压制成型，得到成型体；

将所述成型体在N2与H2的混合气氛中煅烧，之后冷却至室温，得到烧结体；

将所述烧结体研磨成粉末，得到所述的窄带蓝光荧光粉。

5.根据权利要求4所述的一种窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，所述窄带蓝光荧光粉的原料中，钾源为氢氧化钾、氧化钾或钾的碳酸盐，钡源为氢氧化钡、氧化钡或钡的碳酸盐，磷源为磷酸铵、磷酸一氢铵或磷酸二氢铵，氟源为氟化钾、氟化钡或氟化铵。

6.根据权利要求4所述的一种窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，预烧过程中，预烧温度为200～400℃，时间为预烧2～8h，之后随炉自然冷却至室温。

7.根据权利要求4所述的一种窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，煅烧的温度为

675‑685℃，煅烧时间为3～12小时，之后随炉自然冷却至室温。

8.根据权利要求4所述的一种窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，N2与H2的混合气氛中，H2的体积百分数为10％‑40％。

9.一种白光LED发光装置，其特征在于，包括封装基板、近紫外LED芯片以及能够吸收近紫外LED发光并释放蓝光的荧光粉、释放绿光的荧光粉和释放红光的荧光粉，其中，释放蓝光的荧光粉采用权利要求1‑3任意一项所述的窄带蓝光荧光粉。

10.根据权利要求9所述的一种白光LED发光装置，其特征在于，近紫外LED芯片为GaN半

2+ 4+

导体芯片，释放绿光的荧光粉为β‑SiAlON:Eu ，释放红光的荧光粉为K2SiF6:Mn 。