2

1.一种窄带蓝光荧光粉，其特征在于，所述荧光粉的化学通式为K2BaxSr2‑x(PO4)2:yEu+

，其中，0.5≤x≤1.75，0.001≤y≤0.1；所述窄带是指半高宽低于45nm。

2.根据权利要求1所述的窄带蓝光荧光粉，其特征在于，所述x的取值范围为0.5≤x≤1.25，所述y的取值范围为0.01≤y≤0.06。

3.根据权利要求2所述的窄带蓝光荧光粉，其特征在于，所述x的取值范围为0.75≤x≤1，所述y的取值范围为0.016≤y≤0.06。

4.基于权利要求1所述的窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：+ 2+ 2+

步骤1，以含有钾离子K的化合物、含钡离子Ba 的化合物、含锶离子Sr 的化合物、含磷5+ 3+ 2+

离子P 的化合物、含铕离子Eu 的化合物为原料，按照通式K2BaxSr2‑x(PO4)2:yEu 的化学计量比称取原料，其中0.5≤x≤1.75，0.001≤y≤0.1，研磨并混合均匀；

步骤2，将步骤1得到的原料混合物转移至坩埚内，在空气气氛下进行煅烧，煅烧温度为300～700℃，煅烧时间为1～10小时，待降温冷却后再次研磨和混合均匀；

步骤3，在通有还原性气氛的高温炉中煅烧，煅烧温度1000‑1300℃，并保温2～10小时，备用；

步骤4，将步骤3得到的材料经破碎、酸洗、水洗、过滤、烘干后，即得窄带蓝光荧光粉。

+

5.根据权利要求4所述的窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，含有钾离子K的化2+

合物为氢氧化钾、碳酸钾、碳酸氢钾、磷酸二氢钾、或硝酸钾中的一种，含钡离子Ba 的化合2+

物为氢氧化钡、碳酸钡、磷酸钡、磷酸氢钡或硝酸钡中的一种，含锶离子Ba 的化合物为氢氧5+

化锶、碳酸锶、磷酸锶、磷酸氢锶或硝酸锶中的一种，含磷离子P 的化合物为磷酸氢钡、磷酸3+

氢锶、磷酸氢二铵或磷酸二氢铵中的一种，含铕离子Eu 的化合物为氧化铕或硝酸铕。

6.根据权利要求4所述的窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤2中煅烧温度为300～450℃，煅烧时间为3～6小时；步骤3中煅烧温度为1100～1300℃，保温时间为4～8小时，所述还原性气氛为氮气和氢气混合气、氩气和氢气混合气、氩气和氨气混合气、或一氧化碳气氛；步骤4中的酸洗用0.01M～0.5M的盐酸或硝酸，水洗用去离子水或蒸馏水洗至电中性。

7.基于权利要求1或者权利要求4所述的窄带蓝光荧光粉在白光LED发光装置上的应用。

8.一种白光LED发光装置，其特征在于，包括封装基板、近紫外光LED芯片，以及能够被此LED芯片所发出的近紫外光激发的蓝光荧光粉、绿光荧光粉和红光荧光粉，所述蓝光荧光粉为权利要求1或权利要求4所述的任一项所述的窄带蓝光荧光粉。

9.根据权利要求8所述的白光LED发光装置，其特征在于，所述近紫外LED芯片为InGaN半导体芯片，发射光的峰值波长为350～385nm；所述绿光荧光粉为硅酸盐荧光粉(Sr,Ba)2+ 2+

2SiO4:Eu ，发射光的峰值波长为505～530nm；所述红光荧光粉为(Sr,Ca)AlSiN3:Eu 氮化4+

物荧光粉，发射光的峰值波长为610‑665nm，或为K2SiF6:Mn 荧光粉。